一种半导体表面制备共聚交联有机聚合物的方法

    公开(公告)号:CN109880027B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201910088159.6

    申请日:2019-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种半导体表面制备共聚有机聚合物薄膜的方法,该方法包括:A1:半导体基底表面共聚接枝:将所述半导体基片放置于含氰基乙烯基类单体和羧基乙烯基类单体的接枝溶液进行接枝反应,接枝后,大多数氰基自发水解为酰胺基;A2:退火处理,对所述步骤A1所得样品进行退火处理,保温温度为150~300℃,保温时间为30~180min,得到含有酰亚胺结构的聚合物薄膜。本发明在半导体基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜,改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构,提升了现有有机薄膜二维结构的性能。

    一种在金属锌上沉积氧化锌薄膜的方法

    公开(公告)号:CN110306172B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201910610693.9

    申请日:2019-07-08

    Abstract: 本发明公开了一种在金属锌上沉积氧化锌薄膜的方法;该方法包括:化学浴沉积前驱液配制;氧化锌薄膜沉积;反应温度控制。该方法采用锌盐和六亚甲基四胺的混合溶液为化学浴沉积前驱液,在常压、恒温水浴条件下利用锌离子的水解反应在锌上沉积氧化锌薄膜,通过调节化学浴温度控制水解反应的速率,从而调控氧化锌的形貌。与现有技术相比,本发明具备步骤简单,成本较低,可调控氧化锌薄膜的形貌等优势。

    一种改善铝基底化学镀NiP镀层平整性的前处理方法

    公开(公告)号:CN111364030A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010267177.3

    申请日:2020-04-07

    Abstract: 本发明属于电子封装材料技术领域,公开了一种改善铝基底化学镀NiP镀层平整性的前处理方法,先对铝基底表面进行除油和酸洗等预处理,再浸入含Cu2+的酸性溶液中,使其表面沉积一层非常薄的铜,成为浸锌时的活性点,然后进行二次浸锌,在基底表面形成一层均匀细小的锌层,从而在化学镀后得到平整度显著提高的NiP镀层,具有工艺简单、成本低廉、反应条件温和等优点。

    一种聚合物薄膜表面化学镀的方法

    公开(公告)号:CN109576683A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201910087446.5

    申请日:2019-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜表面化学镀的方法,该方法包括:首先将聚合物薄膜表面功能化,使得所述聚合物薄膜表面接枝硝基苯基团;然后将硝基苯基团还原为苯胺基团;再将还原为苯胺基团的聚合物薄膜放置于含有氢氟酸的活化溶液中进行活化,得到具有催化活性的表面;最后进行化学镀操作。本发明将聚合物表面接枝了硝基苯基团,并将其还原成苯胺,苯胺基团对活化离子或原子具有较强的吸附作用,从而使聚合物薄膜在活化后得到具有催化活性的表面,从而使聚合物薄膜表面顺利镀上金属层。本发明通过设计表面功能化步骤解决了聚合物表面能低、不能成为催化表面的问题,并且避免表面粗化、表面等离子体处理带来的负面影响。

    在铜互连硫酸铜镀液中添加Fe2+和Fe3+的电镀方法

    公开(公告)号:CN103668356A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310697666.2

    申请日:2013-12-17

    Abstract: 本发明涉及一种在铜互连硫酸铜镀液中添加Fe2+和Fe3+的电镀方法,包括以下步骤:将带有TSV通孔的硅片放在前处理液中进行超声波前处理;将所述硅片浸入到含Cu2+、Cl-和硫酸的酸性硫酸铜电镀液中;将添加剂PEG、SPS、JGB和Fe2+/Fe3+氧化还原对进行预混合,静置,获得预混合的添加剂溶液,将所述预混合的添加剂溶液注入所述酸性硫酸铜电镀液中,经过搅拌混合后,在恒定工作电流下进行电镀,同时在电镀过程中使电镀液通过装有高纯铜颗粒的电解槽。本发明在镀液中增加了Fe2+/Fe3+氧化还原对与PEG和SPS进行组合,从而加快通孔内部铜的沉积速率并能够有效抑制表面铜的沉积,进而实现无缺陷填充并降低表面镀铜的厚度,方便后续处理过程。

    表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法

    公开(公告)号:CN101792918A

    公开(公告)日:2010-08-04

    申请号:CN201010142443.6

    申请日:2010-04-09

    Abstract: 一种纳米技术领域的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法。包括步骤如下:将表面需要形成微纳米针晶布阵结构的铜板基材进行除油、除锈及活化前处理;将经步骤(1)前处理好的基材置于下述电镀溶液中,并将基材作为阴极,将钴板或不溶性极板作为阳极,并通过导线使基材、钴板或不溶性极板与电镀电源构成回路;通过电镀电源对基材实施电镀,电镀时用直流或用单脉冲或双脉冲电流。本发明可直接在所需基材表面形成从微米到纳米尺度的Co基针状晶布阵结构,既可以作为器件,又可以作为材料。因此,本发明提供的定向电结晶方法具有工艺简单、成本低廉,对底材形状,材质无特殊要求,适于工业化批量生产等优点。

    金属互连线表面电化学接枝低介电常数有机绝缘层的方法

    公开(公告)号:CN115198328A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210814846.3

    申请日:2022-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种金属互连线表面电化学接枝低介电常数有机绝缘层的方法,即在大气气氛下采用重氮盐还原技术在金属互连线表面电化学接枝low‑k有机绝缘层。用此方法接枝出来的绝缘层组成为重氮盐和单体的有机聚合物,其厚度均匀可控,介电常数很低,可防止金属表面被氧化并可作为low‑k层间绝缘层从而减缓互连层间的RC延迟。此方法完全可以在大气和室温下进行,不需要额外的惰性气体进行保护;并且可接枝任何含有双键或三键等不饱和键的可溶性单体;具有适用范围广,反应速度快,装置简易,成本低等优点,适用于集成电路的制造和生产。

    一种聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒的方法

    公开(公告)号:CN109852954B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201910087483.6

    申请日:2019-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒的方法,该方法包括:A1:聚合物表面预处理,将聚合物薄膜放置于预处理溶液中,在20~25℃下静置10~90min;A2:聚合物表面生长纳米钯颗粒,将所述步骤A1所得产物放置于纳米金属钯颗粒生长溶液中,在50~80℃下静置30~60min。本发明只需要两步简单的操作即可在聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒,而且也不要复杂、精密设备,在大气环境下即可操作,因此本发明有效地节约了成本。

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