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公开(公告)号：CN1119683C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN95190977.0
申请日：1995-09-13
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G02B6/0288 , G02B6/02038
Abstract: 本文公开了一种具有如下优点的宽频带光纤：具有适合通信用的宽频带；使用对接式连接器在足够的对接压力下敛缝对接时能防止光纤破裂和产生缺陷；能减小对接损耗，提高轴对准精度，降低连接损耗；而且与125μm直径的现有石英GI型光纤容易耦合，与现有石英GI型光纤互换性好。本发明的宽频带光纤是由带有折射率分布的石英玻璃构成的纤芯、该纤芯外侧密接设置的石英玻璃构成的包层以及该包层外侧密接设置的聚合物涂敷层构成的折射率分布型光纤。所述聚合物涂敷层的特征是由肖氏硬度大于D55的紫外线硬化聚合物构成，且其厚度大于5μm。在其外侧密接设置1次及2次涂敷层而构成光纤芯线，在该光纤芯线外侧设置聚合物套层而构成光纤缆芯。
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公开(公告)号：CN101501112A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200680055460.8
申请日：2006-07-28
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C08J5/14 , C08J9/36 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D18/0027 , C08F2/38 , C08F2/40 , C08F265/04 , C08F283/00 , C08J3/246 , C08L33/10 , C08L75/00 , C08L2205/04 , C08L75/04
Abstract: 本发明涉及一种互穿聚合物网络结构体的制造方法，所述互穿聚合物网络结构体的制造方法包含以下工序：使高分子成型体含浸含有烯键式不饱和化合物及自由基聚合引发剂的自由基聚合性组合物的工序、及在含浸该自由基聚合性组合物的高分子成型体的膨润状态下使该烯键式不饱和化合物聚合的工序，其中，在使高分子成型体含浸自由基聚合性组合物的工序之前，将链转移剂及/或自由基聚合抑制剂添加到该自由基聚合性组合物及/或该高分子成型体中。根据本发明可以得到均匀性高的互穿聚合物网络结构体。另外，本发明提供一种研磨时的研磨速度的面内均匀性高、平坦化特性优异、改良了研磨时的垫寿命的研磨垫及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103648718A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034917.2
申请日：2012-07-12
Applicant: 东丽株式会社
IPC: B24B37/26 , H01L21/304
Abstract: 一种研磨垫，是至少具有研磨层的研磨垫，其特征在于，上述研磨层在研磨面具备槽，该槽具有侧面，上述侧面的至少一方由第一侧面和第二侧面构成，第一侧面从上述研磨面连续，且与上述研磨面所成的角度为α，第二侧面从该第一侧面连续，且与平行于上述研磨面的面所成的角度为β，与上述研磨面所成的角度α大于95度，与平行于上述研磨面的面所成的角度β大于95度，并且与平行于上述研磨面的面所成的角度β比与上述研磨面所成的角度α更小，从上述研磨面到上述第一侧面与上述第二侧面的曲折点为止的曲折点深度大于0.2mm且为3.0mm以下。
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公开(公告)号：CN103648717A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034910.0
申请日：2012-07-12
Applicant: 东丽株式会社
IPC: B24B37/26 , B24B37/22 , H01L21/304
Abstract: 一种研磨垫，是至少具有研磨层和缓冲层的研磨垫，其特征在于，上述研磨层在研磨面具备槽，该槽具有侧面和底面，上述侧面的至少一方由第一侧面和第二侧面构成，第一侧面与上述研磨面连续，且与上述研磨面所成的角度为α，第二侧面与该第一侧面连续，且与平行于上述研磨面的面所成的角度为β，与上述研磨面所成的角度α大于90度，与平行于上述研磨面的面所成的角度β为85度以上，并且与平行于上述研磨面的面所成的角度β比与上述研磨面所成的角度α更小，从上述研磨面到上述第一侧面与上述第二侧面的曲折点为止的曲折点深度为0.4mm以上、3.0mm以下，上述缓冲层的应变常数为7.3×10-6μm/Pa以上、4.4×10-4μm/Pa以下。
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公开(公告)号：CN103347652A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280008992.1
申请日：2012-02-08
Applicant: 东丽株式会社
IPC: B24B37/26 , B24B37/22 , H01L21/304
Abstract: 一种至少具有研磨层和垫层的研磨垫，在其研磨面上具有槽；研磨面和上述槽的与研磨面连续的侧面所成的角度的至少一方为105度以上、150度以下，上述垫层的应变常数为7.3×10－6μm/Pa以上、4.4×10－4μm/Pa以下；通过使用这样的研磨垫，能够解决在保持较高的研磨速率的同时抑制研磨速率的变动的课题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109073571A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023594.X
申请日：2017-04-10
Applicant: 东丽株式会社
Inventor： 福田诚司
IPC: G01N23/04 , G01N23/083 , G01N23/18
Abstract: 本发明提供用于迅速地检查膜电极接合体(MEA)的整个范围、对微小的内部异物及微小的内部缺陷进行检测的连续非破坏检查方法和检查装置。本发明的膜电极接合体的连续非破坏检查方法包括使用透射X射线图像对膜电极接合体中的内部异物及内部缺陷的有无进行检测的步骤，所述透射X射线图像是重复下述步骤而得到的：将膜电极接合体运送至介于X射线摄像部和X射线源之间的摄影位置的步骤，该X射线源与所述X射线摄像部相对配置且所述X射线源的焦点尺寸为50μm以下；在暂时停止所述膜电极接合体的运送且膜电极接合体于摄影位置静止的状态下，从X射线源朝向X射线摄像部照射X射线从而拍摄透射X射线图像的步骤；和重新启动所述膜电极接合体的运送，使膜电极接合体从摄影位置移动的步骤。
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公开(公告)号：CN103782372A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280044813.X
申请日：2012-09-13
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/26
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 一种至少具有研磨层的化学机械研磨用的研磨垫，在所述研磨层的研磨面具有第一槽以及第二槽，所述第一以及第二槽在各自的槽宽方向的缘端部具有与所述研磨面连续的侧面，在所述第一槽中，至少在槽宽方向的一侧的缘端部处，所述研磨面和与该研磨面连续的侧面所成的角度比105度大且为150度以下，在所述第二槽中，在槽宽方向的两个缘端部双方，所述研磨面和与该研磨面连续的侧面所成的角度为60度以上且105度以下。
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公开(公告)号：CN101501112B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200680055460.8
申请日：2006-07-28
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C08J5/14 , C08J9/36 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D18/0027 , C08F2/38 , C08F2/40 , C08F265/04 , C08F283/00 , C08J3/246 , C08L33/10 , C08L75/00 , C08L2205/04 , C08L75/04
Abstract: 本发明涉及一种互穿聚合物网络结构体的制造方法，所述互穿聚合物网络结构体的制造方法包含以下工序：使高分子成型体含浸含有烯键式不饱和化合物及自由基聚合引发剂的自由基聚合性组合物的工序、及在含浸该自由基聚合性组合物的高分子成型体的膨润状态下使该烯键式不饱和化合物聚合的工序，其中，在使高分子成型体含浸自由基聚合性组合物的工序之前，将链转移剂及/或自由基聚合抑制剂添加到该自由基聚合性组合物及/或该高分子成型体中。根据本发明可以得到均匀性高的互穿聚合物网络结构体。另外，本发明提供一种研磨时的研磨速度的面内均匀性高、平坦化特性优异、改良了研磨时的垫寿命的研磨垫及其制造方法。
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公开(公告)号：CN108604688A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008564.1
申请日：2017-02-01
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01M8/02 , B01J39/18 , B01J39/19 , B01J39/20 , B01J41/12 , B01J41/13 , B01J41/14 , B01J47/12 , B08B3/04 , C08J5/22 , H01B13/00 , H01M8/10
Abstract: 本发明的目的在于提供以短时间制造杂质减少了的离子传导膜的制造方法。并且，提供能够减少处理溶液的使用量的、小型化的离子传导膜的制造装置。为了实现上述目的，本发明的制造方法具有以下结构。即，离子传导膜的制造方法，其是包含具有离子性基团的聚合物的离子传导膜的制造方法，所述离子传导膜的制造方法包括多次使前体膜与酸处理溶液或碱处理溶液接触的液体处理工序，所述前体膜包含所述离子性基团与杂质离子形成盐的状态的聚合物，并且所述多次的液体处理工序中，第二次以后的液体处理工序中的液体处理时间比初次的液体处理工序中的液体处理时间短。
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公开(公告)号：CN103782371A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280044522.0
申请日：2012-09-14
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/20 , B24B37/26
CPC classification number: B24B37/26 , B24B37/20 , B24B37/22 , H01L21/304
Abstract: 为了抑制因晶片中央部的研磨速率不足造成的研磨速率的下降和晶片面内均匀性的恶化，研磨垫是至少具有研磨层和垫层的研磨垫，在上述研磨层上设有在厚度方向上贯通的多个孔，并且在上述研磨层的研磨面上设有多个槽；贯通孔率为0.13%以上2.1%以下；上述研磨面与和该研磨面连续的槽侧面所成的角度在两侧面都为105度以上150度以下。
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