硅基尺寸可控β-Ga2O3纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN113658852A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110853195.4

    申请日:2021-07-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备方法,所述硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备工艺是:首先在单晶Si(100)衬底上沉积不同厚度的金(Au)催化层,并对催化层进行原位球化退火,得到不同尺寸的Au纳米颗粒,然后进行磁控溅射生长β‑Ga2O3纳米线并原位退火,得到不同尺寸的β‑Ga2O3纳米线。本发明通过调控β‑Ga2O3纳米线的尺寸可得到具有缺陷少、电阻率高、均匀致密等优点的β‑Ga2O3纳米线。本发明制备的不同的尺寸的β‑Ga2O3纳米线在日盲紫外探测器应用中表现出优异的性能,在军事领域可应用于导弹逼近预警系统、紫外通信、紫外成像导航等,在民用领域的汽车尾气检测、火焰检测、指纹检测等方面有广阔的应用前景。

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