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公开(公告)号：CN108878549A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810675157.2
申请日：2018-06-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种实现准全向硅太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，包括以下步骤：步骤一，将硅片置于含金属离子溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；步骤二，将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中，使所述硅片表面形成纳米结构，得到表面附有纳米结构的硅片；步骤三，将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒，得到制绒的硅片；步骤四，将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。本发明还提供了太阳电池的准全向分析方法。本发明的方法提升太阳电池对不同角度入射光的准全向吸收性能，增加太阳电池的日或年发电量。
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公开(公告)号：CN106521635A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611012727.7
申请日：2016-11-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种硅表面纳米金字塔绒面的全溶液制备方法，第一步，将硅片置于含金属离子和氢氟酸的混合溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；第二步，将附有金属纳米颗粒的硅片浸入含有添加剂的碱溶液中，在一定的温度下经过一定的反应时间形成硅纳米金字塔绒面，得到制绒的硅片；第三步，将制绒的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒。本发明的方法将金属颗粒用于萃取硅与碱溶液反应产生的电子，从而改变氢气泡产生位置，使得硅表面能均匀受到腐蚀，从而产生致密的纳米金字塔绒面。其工艺简单、成本低廉而且绒面效果完美，在超薄晶硅电池中具有重要应用。
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公开(公告)号：CN106190101A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610548570.3
申请日：2016-07-13
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08J5/18 , C08J2329/04 , C08L29/04 , C09K11/65 , C09K11/883
Abstract: 一种荧光量子点薄膜技术领域的具有微结构表面的自支持薄膜及其制备方法，首先分别制得荧光量子溶液和PVA溶液，然后将荧光量子溶液加入PVA溶液中混合均匀，得到荧光量子/PVA混合溶液；接着在底部具有微结构的模具中加入荧光量子/PVA混合溶液，最后加热固化制得具有微结构表面的自支持薄膜。本发明通过在荧光量子点自支持薄膜的表面设置微结构，提高固态荧光量子产率及相应的光转换效率；可以在光电器件、生物科技等诸多领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN103346214A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310278007.5
申请日：2013-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/078 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN108878549B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810675157.2
申请日：2018-06-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种实现准全向硅太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，包括以下步骤：步骤一，将硅片置于含金属离子溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；步骤二，将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中，使所述硅片表面形成纳米结构，得到表面附有纳米结构的硅片；步骤三，将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒，得到制绒的硅片；步骤四，将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。本发明还提供了太阳电池的准全向分析方法。本发明的方法提升太阳电池对不同角度入射光的准全向吸收性能，增加太阳电池的日或年发电量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106190101B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610548570.3
申请日：2016-07-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种荧光量子点薄膜技术领域的具有微结构表面的自支持薄膜及其制备方法，首先分别制得荧光量子溶液和PVA溶液，然后将荧光量子溶液加入PVA溶液中混合均匀，得到荧光量子/PVA混合溶液；接着在底部具有微结构的模具中加入荧光量子/PVA混合溶液，最后加热固化制得具有微结构表面的自支持薄膜。本发明通过在荧光量子点自支持薄膜的表面设置微结构，提高固态荧光量子产率及相应的光转换效率；可以在光电器件、生物科技等诸多领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN105826410A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610307092.7
申请日：2016-05-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02363 , C30B33/10 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将具有金刚线切割痕迹的多晶硅片置于黑硅处理溶液中进行黑硅处理，在硅片表面形成多孔硅结构；(2)将该多晶硅片置于氢氟酸、硝酸的混合酸溶液中进行表面酸制绒，在表面形成微米尺度的孔状结构；(3)将该多晶硅片再次置于黑硅处理溶液中，在微米孔的内部形成多孔硅结构；(4)将该多晶硅片置于氢氧化钠溶液中进行碱制绒处理，在多晶硅片表面形成纳米倒金字塔嵌于微米孔内的微纳复合结构。本发明的制绒方法消除了金刚线切割多晶硅片的表面的划痕，有效降低了制绒后硅片的反射率，大幅度提升了金刚线切割多晶硅太阳电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN105826410B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610307092.7
申请日：2016-05-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将具有金刚线切割痕迹的多晶硅片置于黑硅处理溶液中进行黑硅处理，在硅片表面形成多孔硅结构；(2)将该多晶硅片置于氢氟酸、硝酸的混合酸溶液中进行表面酸制绒，在表面形成微米尺度的孔状结构；(3)将该多晶硅片再次置于黑硅处理溶液中，在微米孔的内部形成多孔硅结构；(4)将该多晶硅片置于氢氧化钠溶液中进行碱制绒处理，在多晶硅片表面形成纳米倒金字塔嵌于微米孔内的微纳复合结构。本发明的制绒方法消除了金刚线切割多晶硅片的表面的划痕，有效降低了制绒后硅片的反射率，大幅度提升了金刚线切割多晶硅太阳电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN106280680A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610647306.5
申请日：2016-08-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种水溶性含磷油墨及其制备方法，用于太阳电池中形成N型掺杂层，特别是可简单方便地形成选择性发射层。含磷油墨按重量百分比的占比为：磷源5％～30％；有机溶剂40％～80％；填料0.5％～20％；助剂0.5％～50％。具体制备过程是先调制好磷源，然后将一定量的有机溶剂加入洁净石英或四氟容器，在室温下低速搅拌，再将配制好的磷源缓慢加入该容器中，保持低速搅拌，依次将助剂和填料缓慢加入该容器，保持温度在80～120℃，搅拌2小时以上，最后静置数小时，即可获得所需的含磷油墨。所制备的磷墨无毒环保，具有良好地保形性，可通过丝网印刷、喷墨打印等方式制作精细的磷墨图案，特别适用于选择性发射极太阳电池。
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公开(公告)号：CN103346214B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310278007.5
申请日：2013-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/078 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。
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