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公开(公告)号：CN118198166A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410347690.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种全铝钝化背接触太阳电池及其制备方法，包括：晶硅衬底、依次设置于其一侧的隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺磷多晶硅层、掺硼多晶硅层、背面钝化层以及设置于晶硅衬底另一侧的正面钝化层和正面减反射层，其中：掺磷多晶硅层上分别设有层叠的两个铝负电极和两个铝正电极。本发明优化了背接触电池的背面电极结构，并结合钝化接触，不仅可以降低接触电阻、增强背面载流子传输，也能够提升衬底选择自由度，免除工业用银的消耗，大幅降低了电池的量产成本。
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公开(公告)号：CN114203832B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111435868.0
申请日：2021-11-29
Applicant: 上海交通大学 , 江苏林洋光伏科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 一种具有钝化接触层并叠加复合钝化层的铸造单晶硅钝化结构，以n型铸造单晶硅为基底，在基底两侧对称地由内到外依次生长有超薄氧化硅层(SiOx)、磷掺杂多晶硅层(poly‑Si(n))、氧化铝层(AlOx)和氢化氮化硅层(SiNx:H)。本发明采用性能优异的钝化层，有效钝化铸造单晶硅的表面缺陷，能够降低载流子复合损失，有利于制造高转换效率的铸造单晶硅太阳电池。
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公开(公告)号：CN111416011B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202010269936.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种p型PERC晶硅太阳电池及其制备方法，在p型晶硅片正面生长具有绒面结构的氧化硅层和多晶硅层，包括以下步骤：对所述硅片表面制绒，形成随机分布的金字塔绒面；高温磷扩散形成n+发射极，随后去除正面磷硅玻璃；热氧化形成所述氧化硅层；沉积本征多晶硅层，用高温扩散对所述本征多晶硅层进行磷掺杂，得到具有载流子选择性接触的全面积TOPCon结构。本发明的有益效果是：有效降低载流子在电池前表面的复合，制备工艺能与现有的PERC产线兼容，同时不需要激光选择性掺杂设备。
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公开(公告)号：CN112736151B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110022467.6
申请日：2021-01-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 一种基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池，包括：作为基底的N型单晶硅层、依次设置于基底一侧的本征非晶硅层、宽带隙窗口层和透明导电氧化物层以及依次设置于基底另一侧的本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅发射极层和透明导电氧化物层，其中：P型掺杂非晶硅发射极层与基底之间形成PN异质结。本发明通过在背结硅异质结太阳电池的正面应用宽带隙窗口层，采用非晶氧化硅或非晶碳化硅作为宽带隙窗口层能透过更多光而减少光吸收的特性，提升背结异质结电池的短路电流，从而提升电池的转换效率的同时大幅度缩短制备时间。
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公开(公告)号：CN112151637B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011002388.0
申请日：2020-09-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种在表面制绒的非晶硅/晶硅异质结电池上快速低成本制备钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域，所述方法为先表面制绒的异质结电池清洗；然后在清洗干净的所述表面制绒的异质结电池表面采用电化学方法制备金属铅层；最后采用电化学方法将表面制绒的异质结电池上含有的所述金属铅层转化为所述钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以快速低成本地在表面制绒的异质结电池上制备均匀的钙钛矿薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203832A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111435868.0
申请日：2021-11-29
Applicant: 上海交通大学 , 江苏林洋光伏科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 一种具有钝化接触层并叠加复合钝化层的铸造单晶硅钝化结构，以n型铸造单晶硅为基底，在基底两侧对称地由内到外依次生长有超薄氧化硅层(SiOx)、磷掺杂多晶硅层(poly‑Si(n))、氧化铝层(AlOx)和氢化氮化硅层(SiNx:H)。本发明采用性能优异的钝化层，有效钝化铸造单晶硅的表面缺陷，能够降低载流子复合损失，有利于制造高转换效率的铸造单晶硅太阳电池。
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公开(公告)号：CN113644002A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110914468.1
申请日：2021-08-10
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种太阳电池少数载流子端接触电阻的测试方法，通过暗态I‑V曲线对应样品不同的正面电极面积S绘制出dV/d(lnI)‑I曲线，并结合双(二极管+电阻)等效电路模型对曲线进行分段分析，进而计算出电阻‑电极面积倒数曲线，经曲线拟合得到直线的斜率即为带钝化层的免掺杂异质结电池样品的少数载流子端比接触电阻。本发明结合带钝化层的免掺杂异质结太阳电池少数载流子端载流子传输模型，建立对应的等效电路图，进而得到提取带钝化层的免掺杂异质结太阳电池少数载流子端接触电阻的方法。
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公开(公告)号：CN110518130B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910802239.3
申请日：2019-08-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电场调控钙钛矿晶粒二次生长的方法，涉及太阳电池领域，其特征在于，在现有一步旋涂法热处理的基础上，自主设计了一个加电场的装置，此装置可以根据需要通过调节俩电极的距离进而调控电场强度，从而实现调控薄膜晶粒的二次生长。本发明利用探针接触薄膜的导电ITO面，实现电场处理过程中的可视化，并且对样品薄膜是无损。本发明不使用化学方法更加环保，简单易行。通过电场处理的钙钛矿薄膜更大的晶粒尺寸、更多的钙钛矿成分，其制备的钙钛矿太阳电池具有更大的开路电压、短路电流密度，进而具有更高的光电转换效率，且具有更好地稳定性。
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公开(公告)号：CN112151634A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010992887.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种在具有绒面的晶硅太阳电池表面涂覆钙钛矿材料的方法，所述方法包括如下步骤：步骤1、清洗所述具有绒面的晶硅太阳电池表面；步骤2.1、将甲基碘化铵和碘化铅溶解于二甲基亚砜中，搅拌过滤后得到澄清溶液，步骤2.2、在所述澄清溶液中加入淀粉搅拌得到黄色透明的钙钛矿前驱体溶液；步骤3、使用旋涂法将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆在所述具有绒面的晶硅太阳电池表面，经退火处理后得到钙钛矿层。本发明提供的涂覆方法可实现钙钛矿材料在具有绒面的晶硅太阳电池表面的均匀连续覆盖，可有效避免传统旋涂法无法均匀连续涂覆钙钛矿材料的缺陷；此外，本发明提供的方法制作成本较低。
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公开(公告)号：CN111446307A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010274445.4
申请日：2020-04-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法，涉及钝化发射极和背面电池(PERC)领域，其特征在于，包括以下步骤：1)将硅片进行清洗和制绒，并进行POCl3扩散；2)将所述硅片进行背面抛光、去除PN结，然后经过热氧化处理，沉积Al2O3薄膜，并在所述硅片的正面和背面沉积SiNx:H减反射膜，形成第一样片；3)在所述第一样片的背面进行激光开槽，形成第二样片；4)采用丝网印刷为所述第二样片印刷背面铝浆、正面银电极和背面银电极，最终经过烧结制成太阳能电池。本发明改善了太阳能电池背面的钝化效果和背面电流的收集能力，实现了复合损失与填充因子提升的平衡，大幅度提升了太阳能电池的光电性能。
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