公开(公告)号：CN117878178A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410035575.0

申请日：2024-01-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  丁东 ,  李正平 ,  杜大学 ,  贺礼

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种晶硅异质结太阳电池结构及其制备方法，包括：n型晶硅衬底、依次设置于其一侧的第一超薄氧化硅层、第一非晶碳化硅层、第一硅量子点层、第二非晶碳化层、由非晶硅在高温退火条件下形成的第二硅量子点层、由非晶硅在高温退火条件下形成的第一磷掺杂纳米硅层和第一透明导电层以及设置于其另一侧的第二超薄氧化硅层、第二硼掺杂纳米硅层和第二透明导电层。本发明利用不同厚度的非晶硅膜/碳化硅多层膜，通过高温热退火技术，以便获得尺寸渐变的硅量子点结构。硅量子点结构存在量子限制效应，不同尺寸的硅量子点具有不同的带隙，形成界面钝化好，并兼容高温工艺的低成本异质结太阳电池，而提高电池的开路电压。

公开(公告)号：CN119384046A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411467367.4

申请日：2024-10-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  丁东 ,  李正平 ,  贺礼 ,  黄环佩

IPC: H10F10/166 ,  H10F77/1223 ,  H10F71/10

Abstract: 一种叠层本征非晶硅结构的异质结太阳电池及其制备方法，包括：n型晶硅衬底、依次设置于衬底前表面的三层H浓度依次降低的本征层、磷掺杂层、第一导电层和正面电极以及依次设置于衬底背表面的三层H浓度依次降低的本征层、硼掺杂层、第二导电层和背面电极，其中：本征层、磷掺杂层、硼掺杂层和导电层均为若干金字塔形结构。本发明拓宽了晶硅异质结太阳电池的工艺窗口，能够提高前表面的透光率，并且兼顾了电池两侧的界面钝化和高载流子迁移率，从而获得较高的电池转换效率。

公开(公告)号：CN118198166A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410347690.1

申请日：2024-03-26

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  黄环佩 ,  李正平 ,  丁东 ,  杜大学 ,  马胜 ,  贺礼 ,  李琳

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种全铝钝化背接触太阳电池及其制备方法，包括：晶硅衬底、依次设置于其一侧的隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺磷多晶硅层、掺硼多晶硅层、背面钝化层以及设置于晶硅衬底另一侧的正面钝化层和正面减反射层，其中：掺磷多晶硅层上分别设有层叠的两个铝负电极和两个铝正电极。本发明优化了背接触电池的背面电极结构，并结合钝化接触，不仅可以降低接触电阻、增强背面载流子传输，也能够提升衬底选择自由度，免除工业用银的消耗，大幅降低了电池的量产成本。