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公开(公告)号：CN100578789C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200710161278.7
申请日：2007-09-25
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型半导体装置。在栅焊盘电极下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏-源间反向耐压达到数百伏时，在球面端部就会电场集中，无法得到足够的漏-源间反向耐压。在平面图形中，当增大p+型杂质区域的角部曲率时，则牺牲能够在动作区域配置的晶体管单元的数量。在栅焊盘电极的下方也配置与晶体管单元连续的沟道区域。将位于栅焊盘电极下方的沟道区域固定为源电位。由此，即使不在栅焊盘电极下方整个面设置p+型杂质区域，也能够确保规定的漏-源间反向耐压。此外，在配置于动作区域外周的导电层形成保护二极管。
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公开(公告)号：CN100435463C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200610058923.8
申请日：2006-03-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M1/32 , Y02B70/1433 , Y10T307/74
Abstract: 准谐振类型开关电源单元包括一个过电流限制电路和一个振荡电平比较电路。当MOSFET处于断路状态的时候，该过电流限制电路(即，电平确定电路和参考电压产生电路)接收从辅助绕组产生的反向电动势，该辅助绕组被电磁地与初级绕组相连接，并且基于反向电动势产生阶梯式的参考电压。该振荡电平比较电路接收一个对应于提供给负载的电能的反馈电压，并且当该反馈电压超过该参考电压的时候，产生一个控制信号，其将该MOSFET切换为断路状态。
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公开(公告)号：CN101154664A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161278.7
申请日：2007-09-25
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型半导体装置。在栅焊盘电极下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏－源间反向耐压达到数百伏时，在球面端部就会电场集中，无法得到足够的漏－源间反向耐压。在平面图形中，当增大p+型杂质区域的角部曲率时，则牺牲能够在动作区域配置的晶体管单元的数量。在栅焊盘电极的下方也配置与晶体管单元连续的沟道区域。将位于栅焊盘电极下方的沟道区域固定为源电位。由此，即使不在栅焊盘电极下方整个面设置p+型杂质区域，也能够确保规定的漏－源间反向耐压。此外，在配置于动作区域外周的导电层形成保护二极管。
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公开(公告)号：CN101154663A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161277.2
申请日：2007-09-25
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/4238 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型半导体装置。在栅焊盘电极下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏－源间反向耐压达到数百伏时，在球面状的端部就会电场集中，无法得到足够的漏－源间反向耐压。在平面图形中，当增大p+型杂质区域的角部曲率时，就要牺牲能够在动作区域配置的晶体管单元的数量。在栅焊盘电极下方也配置与晶体管单元连续的沟道区域。将位于栅焊盘电极下方的沟道区域固定为源电位。由此，即使不在栅焊盘电极下方的整个面设置p+型杂质区域，也能够确保规定的漏－源间反向耐压。此外，在栅焊盘电极下方的条状的多晶硅形成保护二极管。
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公开(公告)号：CN101071825A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710102817.X
申请日：2007-05-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42372 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅极型半导体装置。现有的绝缘栅极型半导体装置中，在栅极焊盘电极的下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏极－源极间逆向击穿电压为数百伏时，电场集中在球面的端部，不能得到充足的漏极－源极间逆向击穿电压。在平面图案中，当p+型杂质区域的拐角部的曲率变大时，就会牺牲能配置在动作区域的晶体管单元数。本发明提供一种绝缘栅极型半导体装置，在栅极焊盘电极的下方也配置与晶体管单元连接的沟道区域及栅极。通过使晶体管单元为条纹状与源极接触，以所规定的电位固定位于栅极焊盘电极的下方的沟道区域。由此，即使不在栅极焊盘下方的整个面上设置p+型杂质区域，也能确保所规定的漏极－源极间逆向击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1756058A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510099528.X
申请日：2005-09-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 野口康成
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 一种开关电源单元，用于切换提供到脉冲变压器的整流的电压以便提供指定的负载电压到连接到脉冲变压器的次级绕组的负载，其中，在正常操作时，经由第一电阻提供整流的电压到控制电路的电源端，与此一起经由二极管将在脉冲变压器的驱动绕组产生的电压提供给电源端，并且在待机操作时，从外部接收指示已经使开关电源单元进入待机模式的待机信号，并且当在待机模式时，通过提供比能够操作控制电路的电源阈值电压更低的电压到电源端，可以完全关断对组成主电源的开关电源单元的控制部分的电力供应。
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公开(公告)号：CN101071825B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710102817.X
申请日：2007-05-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42372 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅极型半导体装置。现有的绝缘栅极型半导体装置中，在栅极焊盘电极的下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏极-源极间逆向击穿电压为数百伏时，电场集中在球面的端部，不能得到充足的漏极-源极间逆向击穿电压。在平面图案中，当p+型杂质区域的拐角部的曲率变大时，就会牺牲能配置在动作区域的晶体管单元数。本发明提供一种绝缘栅极型半导体装置，在栅极焊盘电极的下方也配置与晶体管单元连接的沟道区域及栅极。通过使晶体管单元为条纹状与源极接触，以所规定的电位固定位于栅极焊盘电极的下方的沟道区域。由此，即使不在栅极焊盘下方的整个面上设置p+型杂质区域，也能确保所规定的漏极-源极间逆向击穿电压。
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公开(公告)号：CN100576542C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710161277.2
申请日：2007-09-25
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/4238 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型半导体装置。在栅焊盘电极下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏-源间反向耐压达到数百伏时，在球面状的端部就会电场集中，无法得到足够的漏-源间反向耐压。在平面图形中，当增大p+型杂质区域的角部曲率时，就要牺牲能够在动作区域配置的晶体管单元的数量。在栅焊盘电极下方也配置与晶体管单元连续的沟道区域。将位于栅焊盘电极下方的沟道区域固定为源电位。由此，即使不在栅焊盘电极下方的整个面设置p+型杂质区域，也能够确保规定的漏-源间反向耐压。此外，在栅焊盘电极下方的条状的多晶硅形成保护二极管。
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公开(公告)号：CN100397767C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510099528.X
申请日：2005-09-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 野口康成
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 一种开关电源单元，用于切换提供到脉冲变压器的整流的电压以便提供指定的负载电压到连接到脉冲变压器的次级绕组的负载，其中，在正常操作时，经由第一电阻提供整流的电压到控制电路的电源端，与此一起经由二极管将在脉冲变压器的驱动绕组产生的电压提供给电源端，并且在待机操作时，从外部接收指示已经使开关电源单元进入待机模式的待机信号，并且当在待机模式时，通过提供比能够操作控制电路的电源阈值电压更低的电压到电源端，可以完全关断对组成主电源的开关电源单元的控制部分的电力供应。
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公开(公告)号：CN1848641A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610058923.8
申请日：2006-03-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M1/32 , Y02B70/1433 , Y10T307/74
Abstract: 准谐振类型开关电源单元包括一个过电流限制电路和一个振荡电平比较电路。当MOSFET处于断路状态的时候，该过电流限制电路(即，电平确定电路和参考电压产生电路)接收从辅助绕组产生的反向电动势，该辅助绕组被电磁地与初级绕组相连接，并且基于反向电动势产生阶梯式的参考电压。该振荡电平比较电路接收一个对应于提供给负载的电能的反馈电压，并且当该反馈电压超过该参考电压的时候，产生一个控制信号，其将该MOSFET切换为断路状态。
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