公开(公告)号：CN1822394A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610006390.9

申请日：2006-01-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  及川慎 ,  冈田喜久雄 ,  宫原正二 ,  落合直弘 ,  栉山和成

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，沟道层的杂质区域为较低的区域。以带状形成栅极电极，以梯状形成源极区域的图案中，由于部分地在源极区域正下方配置作为沟道层的低浓度区域，故发生电位降，存在雪崩能量劣化的问题。本发明中，在将栅极电极形成为带状，将源极区域形成为梯状的图案中，与栅极电极平行地设置带状体区。在与栅极电极邻接的第一源极区域间的沟道层表面露出第一体区，在将第一源极区域相互连结的第二源极区域下方设置第二体区。由此，可提高雪崩容量。另外，由于形成体区时不需要掩模，故有利于实现对位精度。

公开(公告)号：CN100463222C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200610006390.9

申请日：2006-01-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  及川慎 ,  冈田喜久雄 ,  宫原正二 ,  落合直弘 ,  栉山和成

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，沟道层的杂质区域为较低的区域。以带状形成栅极电极，以梯状形成源极区域的图案中，由于部分地在源极区域正下方配置作为沟道层的低浓度区域，故发生电位降，存在雪崩能量劣化的问题。本发明中，在将栅极电极形成为带状，将源极区域形成为梯状的图案中，与栅极电极平行地设置带状体区。在与栅极电极邻接的第一源极区域间的沟道层表面露出第一体区，在将第一源极区域相互连结的第二源极区域下方设置第二体区。由此，可提高雪崩容量。另外，由于形成体区时不需要掩模，故有利于实现对位精度。