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公开(公告)号：CN1220278C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN97110806.4
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
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公开(公告)号：CN1604348A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410081030.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光元件及其制造方法。它通过在基板背面涂布用于形成以具有透光性的无机材料为主要成分的层的固化前粘性溶液(前驱液)，然后一边用模的凹凸按压基板，一边加热或照射紫外线，再通过从基板上取下模，在基板上形成以具有透光性的无机材料为主要成分的无机材料层，从而利用模压法在基板的背面(拾光面)形成具有凹凸的有机材料层。
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公开(公告)号：CN1667846B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200510008470.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供可以提高光取出效率的发光元件。此发光元件具有设置在与光射出面相反一侧的支撑基板和连接在支撑基板上，至少有相对于光射出面的法线倾斜规定角度的侧面的半导体元件层。
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公开(公告)号：CN1667846A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510008470.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供可以提高光取出效率的发光元件。此发光元件具有设置在与光射出面相反一侧的支撑基板和连接在支撑基板上，至少有相对于光射出面的法线倾斜规定角度的侧面的半导体元件层。
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公开(公告)号：CN101834250A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010159427.8
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括：在生长用基板上形成具有活性层的半导体元件层的工序；将支撑基板接合到所述半导体元件层的工序；和通过去除所述生长用基板，使所述半导体元件层的所述生长用基板侧的面露出而形成光射出面的工序，还包括按照如下方式加工所述半导体元件层的工序：从所述支撑基板侧向着所述光射出面侧以成为前端变细的形状的方式相对于所述光射出面具有倾斜的侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100353573C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410043463.2
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
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公开(公告)号：CN1540775A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410043463.2
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III－V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III－V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
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公开(公告)号：CN101853910A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010159429.7
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其特征在于，包括：具有活性层的半导体元件层；设置在与光射出面相反的一侧的支撑基板，所述光射出面射出由所述活性层生成的光；和设置在所述支撑基板和所述半导体元件层之间的反射膜；所述半导体元件层，隔着所述反射膜与所述支撑基板接合，并且，具有按照从所述支撑基板侧向着所述光射出面成为前端变细的形状的方式相对于所述光射出面倾斜的侧面，所述半导体元件层的相比于所述活性层在所述光射出面侧的厚度比所述半导体元件层的相比于所述活性层在所述支撑基板侧的厚度大。
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公开(公告)号：CN100485978C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200510008476.0
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种可提高光取出效率的氮化物系半导体发光元件。该氮化物系半导体发光元件包括：在导电性基板表面上形成的第一氮化物系半导体层；在第一氮化物系半导体层上形成的活性层；在活性层上形成的第二氮化物系半导体层；和，在第二氮化物系半导体层上形成、载流子浓度比第二氮化物系半导体层的载流子浓度低的光透过层。
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公开(公告)号：CN100370630C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410081030.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光元件及其制造方法。它通过在基板背面涂布用于形成以具有透光性的无机材料为主要成分的层的固化前粘性溶液(前驱液)，然后一边用模的凹凸按压基板，一边加热或照射紫外线，再通过从基板上取下模，在基板上形成以具有透光性的无机材料为主要成分的无机材料层，从而利用模压法在基板的背面(拾光面)形成具有凹凸的有机材料层。
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