公开(公告)号：CN1220278C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN97110806.4

申请日：1997-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里竜也 ,  狩野隆司 ,  上田康博 ,  松下保彦 ,  八木克己

IPC: H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。

公开(公告)号：CN1169036A

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN97110806.4

申请日：1997-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里竜也 ,  狩野隆司 ,  上田康博 ,  松下保彦 ,  八木克己

IPC: H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层。

公开(公告)号：CN100353573C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410043463.2

申请日：1997-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里竜也 ,  狩野隆司 ,  上田康博 ,  松下保彦 ,  八木克己

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。

公开(公告)号：CN1540775A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410043463.2

申请日：1997-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里竜也 ,  狩野隆司 ,  上田康博 ,  松下保彦 ,  八木克己

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III－V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III－V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。