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公开(公告)号：CN101147303B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680009593.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的 方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的 方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的 方向的偏离角度作为B时(A2+B2)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以/秒以上/秒以下的生长速度使活性层生长。由此，即使使用偏离角度大的氮化镓衬底，也能够提供斜率效率大、元件电阻减少、驱动电压降低、且制造合格率高、偏差少、能够发出高输出蓝紫色光的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法以及由该方法制造的化合物半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN1735976A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200480002096.X
申请日：2004-06-30
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
Inventor： 松下保彦
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/382 , H01L24/32 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种通过保证用导电粘合剂材料(20)将发光元件(11a)连接到引线框架(30)上而制造的发光二极管(10A)，其中发光元件(11a)包括半导体层(9)，所述半导体层(9)包括位于半透明衬底(12)的第一表面(12a)上的发光层(16)，与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)用做发光观察表面。半导体层(9)具有相对于第一表面(12a)倾斜的侧表面，并且倾斜侧表面(19)的法线(a)和其上生长发光层(16)的晶体表面之间的角度θ等于从发光层(16)发射的光朝向半透明衬底(12)全反射的角度。
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公开(公告)号：CN100391016C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480002096.X
申请日：2004-06-30
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
Inventor： 松下保彦
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/382 , H01L24/32 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种通过保证用导电粘合剂材料(20)将发光元件(11a)连接到引线框架(30)上而制造的发光二极管(10A)，其中发光元件(11a)包括半导体层(9)，所述半导体层(9)包括位于半透明衬底(12)的第一表面(12a)上的发光层(16)，与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)用做发光观察表面。半导体层(9)具有相对于第一表面(12a)倾斜的侧表面，并且倾斜侧表面(19)的法线(a)和其上生长发光层(16)的晶体表面之间的角度θ等于从发光层(16)发射的光朝向半透明衬底(12)全反射的角度。
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公开(公告)号：CN101147303A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009593.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的 方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的 方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的 方向的偏离角度作为B时(A2+B2)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。由此，即使使用偏离角度大的氮化镓衬底，也能够提供斜率效率大、元件电阻减少、驱动电压降低、且制造合格率高、偏差少、能够发出高输出蓝紫色光的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法以及由该方法制造的化合物半导体激光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101728766A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910208160.4
申请日：2009-10-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01S5/0042 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 一种条形半导体激光芯片，可以抑制振荡波长的变化。所述条形半导体激光芯片具有氮化物半导体衬底和半导体层，所述半导体层形成在所述氮化物半导体衬底的主表面上，并且包括多个激光芯片部分。所述多个激光芯片部分在[11-20]方向上形成阵列。氮化物半导体衬底的主表面是在沿着[11-20]方向的方向上具有偏角的(0001)面。氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面0.05±0.1度的偏角。
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公开(公告)号：CN1220278C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN97110806.4
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
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公开(公告)号：CN1169036A
公开(公告)日：1997-12-31
申请号：CN97110806.4
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层。
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公开(公告)号：CN100353573C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410043463.2
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
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公开(公告)号：CN1540775A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410043463.2
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III－V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III－V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
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