公开(公告)号：CN114647146B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]#imgabs0#。

公开(公告)号：CN114647146A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]

公开(公告)号：CN117492324A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310577542.4

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  韩承 ,  蔡承龙 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  张水民 ,  任相均 ,  徐也隐 ,  姜恩美 ,  林秀斌 ,  文京守

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含第一有机金属化合物、第二有机金属化合物以及溶剂的半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物可提供具有改进的敏感性、分辨率以及存储稳定性的光刻胶图案。

公开(公告)号：CN113495429A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110349838.1

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  金兑镐 ,  南宫烂 ,  文京守 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物、光酸产生剂(PAG)以及溶剂的半导体光刻胶组合物和使用其形成图案的方法。化学式1的细节如详细描述中所定义。[化学式1]。

公开(公告)号：CN119472165A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410955967.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳东完 ,  姜恩美 ,  金铃根 ,  林雪熙 ,  林秀斌 ,  姜锡一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 一种半导体光刻胶组合物包含：由化学式1表示的有机锡化合物；以及溶剂，其中对化学式1的详细说明如在说明书中所述。此外，一种形成图案的方法包括：在基板上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上涂覆所述半导体光刻胶组合物以形成光刻胶层；对光刻胶层进行图案化以形成光刻胶图案；以及利用光刻胶图案作为蚀刻掩模来对蚀刻目标层进行蚀刻。化学式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN119439627A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410958943.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐也隐 ,  金智敏 ,  李旻映 ,  姜恩美 ,  成太根 ,  禹昌秀 ,  张水民 ,  吴釜根 ,  李忠宪

IPC: G03F7/16

Abstract: 公开一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物；进行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂层；使用经图案化的掩模对含金属的抗蚀剂层进行曝光；以及进行包括涂覆显影剂组合物以移除未曝光区的显影从而形成抗蚀剂图案，其中通过利用旋涂机以约100rpm到约1,500rpm的速度涂覆含金属的抗蚀剂组合物达约60秒到约120秒来实行对含金属的抗蚀剂组合物的涂覆，所述加热在约90℃到约200℃的温度下实行约30秒到约120秒，通过辐照极紫外光、波长为约5nm到约50nm的光、或所述极紫外光与所述光的组合来实行对含金属的抗蚀剂层的曝光。

公开(公告)号：CN117148672A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310071780.8

申请日：2023-02-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林雪熙 ,  林栽范 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  林秀斌 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  白载烈 ,  姜恩美 ,  禹昌秀

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂的半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1][R1L1SnO(R2L2C(＝O)O)]6。

公开(公告)号：CN115668056A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180036970.5

申请日：2021-08-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  金兑镐 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/025 ,  G03F7/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组成物及使用所述半导体光致抗蚀剂组成物形成图案的方法。所述组成物包含溶剂及由化学式1表示的有机金属化合物。化学式1的具体细节如在说明书中所定义。

公开(公告)号：CN119987131A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411432186.8

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林秀斌 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  禹昌秀 ,  李旻映 ,  成太根 ,  姜恩美 ,  金智敏 ,  张胜宇 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法。该半导体光刻胶组合物包含有机金属化合物和混合溶剂，该混合溶剂包含重量比为约1:99至约30:70的醇类化合物和非醇类化合物。

公开(公告)号：CN112666794B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]#imgabs0#[化学式2]#imgabs1#[化学式3]#imgabs2#