公开(公告)号：CN102386248A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110196575.1

申请日：2011-07-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴用永 ,  金琏熙 ,  梁祐荣 ,  金贤钟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  C03C8/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括：半导体基底；钝化膜，设置在所述半导体基底的一侧上；保护层，设置在所述钝化膜的与所述半导体基底相对的一侧上；电极，设置在所述保护层的与所述钝化膜相对的一侧上，其中，所述电极包括含有玻璃料和导电材料的导电糊的产物，其中，所述保护层包含吉布斯自由能的绝对值比所述玻璃料的每个组分的吉布斯自由能的绝对值小的材料。

公开(公告)号：CN103094334B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201210215829.4

申请日：2012-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政烨 ,  鲜于文旭 ,  文彰烈 ,  朴用永 ,  梁佑荣 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。

公开(公告)号：CN101819982A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010175802.8

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。

公开(公告)号：CN101086968B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610166770.9

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  车映官

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。

公开(公告)号：CN101246889A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810003879.X

申请日：2008-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/7854

Abstract: 本发明提供一种具有多晶硅鳍的非易失性存储器晶体管、一种具有该晶体管的堆叠式非易失性存储装置、一种制造该晶体管的方法以及一种制造该装置的方法。所述装置可以包括从半导体基底向上突出的有源鳍。至少一个第一电荷存储图案可以形成在有源鳍的顶表面和侧壁上。至少一条第一控制栅极线可以形成在至少一个第一电荷存储图案的顶表面上。至少一条第一控制栅极线可以与有源鳍交叉。层间介电层可以形成在至少一条第一控制栅极线上。多晶硅鳍可以形成在层间介电层上。至少一个第二电荷存储图案可以形成在多晶硅鳍的顶表面和侧壁上。至少一条第二控制栅极线可以形成在至少一个第二电荷存储图案的顶表面上，至少一条第二控制栅极线可以与多晶硅鳍交叉。

公开(公告)号：CN101114570A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710005924.0

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/146 ,  G02B3/00

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明提供了一种形成微透镜的方法、包括微透镜的图像传感器和制造该图像传感器的方法。形成微透镜的方法包括：在具有下结构的半导体衬底上形成硅图案；在该半导体衬底上形成盖膜以覆盖硅图案；退火硅图案和盖膜以将硅图案变形为具有杆形状的多晶硅图案并将盖膜变形为圆型微透镜的壳部；和通过半导体衬底与将盖膜变形为壳部时产生的壳部边缘之间的开口，用透镜材料填充壳部的内部。图像传感器包括通过上述方法或类似方法形成的微透镜和在该微透镜中心之下具有杆形状并由多晶硅形成的光电二极管部分。

公开(公告)号：CN1770476A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510114007.7

申请日：2005-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 野口隆 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02598 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66772

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造所述薄膜晶体管的方法。所述TFT包括：透明衬底；覆盖所述透明衬底的预定区域的绝缘层；在所述绝缘层上形成的、包括源极区、漏极区和沟道区的单晶硅层；以及在所述单晶硅层的沟道区上依次形成的栅极绝缘膜和栅电极。所述TFT能够通过快速热辐射高速地稳定运行。并且能够使TFT的尺寸显著降低。

公开(公告)号：CN110349992A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201811086256.3

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  鲜于文旭 ,  具本原 ,  卢卓均 ,  李昌承

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。

公开(公告)号：CN101114585B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200610172718.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/24 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。

公开(公告)号：CN101235541A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710192803.1

申请日：2007-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  赵世泳 ,  殷华湘 ,  林赫

IPC: C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B13/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696 ,  Y10T428/2962

Abstract: 一种制造单晶硅棒的方法可包括：在基底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成孔；选择性地使硅在所述孔中生长；在所述孔和所述绝缘层上形成硅层；在所述硅层上沿不是关于所述孔的径向的方向形成棒图案；通过将激光束照射到所述硅层上熔化所述硅层并在对应于所述孔的位置产生成核位置，使所述硅层结晶。根据所述方法，可形成没有缺陷的单晶硅棒。