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公开(公告)号：CN103178205B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210560542.5
申请日：2012-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/5607 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/3295
Abstract: 本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面，绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103178205A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210560542.5
申请日：2012-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/5607 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/3295
Abstract: 本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面，绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。
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公开(公告)号：CN104934529A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510119636.2
申请日：2015-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 本发明描述了一种用于提供可在磁性器件中使用的磁性结的方法以及该磁性结。该方法包括提供自由层、被钉扎层以及在自由层和被钉扎层之间的非磁性间隔层。自由层在写电流经过磁性结时可在多个稳定的磁态之间切换。提供自由层的步骤中的至少一个包括第一多个步骤，提供被钉扎层的步骤包括第二多个步骤。第一和第二多个步骤包括沉积层的一部分、沉积牺牲层、退火磁性结的在牺牲层下面的部分以及沉积该层的剩余部分。该层可以是自由层、被钉扎层或两者。
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公开(公告)号：CN109817805B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201811317318.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了提供磁性结的方法和使用该磁性结制造的存储器。该方法包括提供钉扎层、非磁性间隔层、以及在稳定的磁状态之间可切换的自由层。非磁性间隔层在钉扎层与自由层之间。提供钉扎层和/或提供自由层包括冷却磁性结的一部分、当磁性结的所述部分冷却时沉积润湿层、氧化/氮化润湿层、以及在氧化物/氮化物润湿层上沉积无硼磁层。磁性结的所述部分被冷却到包括不大于250K的温度(们)的温度范围内。润湿层具有至少0.25个单层且不多于三个单层的厚度。润湿层包括至少一种磁性材料。无硼磁层具有大于平面外退磁能的垂直磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN109817805A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811317318.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了提供磁性结的方法和使用该磁性结制造的存储器。该方法包括提供钉扎层、非磁性间隔层、以及在稳定的磁状态之间可切换的自由层。非磁性间隔层在钉扎层与自由层之间。提供钉扎层和/或提供自由层包括冷却磁性结的一部分、当磁性结的所述部分冷却时沉积润湿层、氧化/氮化润湿层、以及在氧化物/氮化物润湿层上沉积无硼磁层。磁性结的所述部分被冷却到包括不大于250K的温度(们)的温度范围内。润湿层具有至少0.25个单层且不多于三个单层的厚度。润湿层包括至少一种磁性材料。无硼磁层具有大于平面外退磁能的垂直磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN104934529B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510119636.2
申请日：2015-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明描述了一种用于提供可在磁性器件中使用的磁性结的方法以及该磁性结。该方法包括提供自由层、被钉扎层以及在自由层和被钉扎层之间的非磁性间隔层。自由层在写电流经过磁性结时可在多个稳定的磁态之间切换。提供自由层的步骤中的至少一个包括第一多个步骤，提供被钉扎层的步骤包括第二多个步骤。第一和第二多个步骤包括沉积层的一部分、沉积牺牲层、退火磁性结的在牺牲层下面的部分以及沉积该层的剩余部分。该层可以是自由层、被钉扎层或两者。
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