公开(公告)号：CN118632615A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410259040.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 伊克蒂亚尔 ,  C·加格 ,  郑在佑 ,  P·C·菲利波 ,  M·萨曼特 ,  S-H·杨

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括：包括赫斯勒化合物的第一磁性层。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，所述种子层包括配置为将所述赫斯勒化合物模板化的包括结晶结构的模板化结构体。所述第一磁性层形成在所述模板化结构体上方。所述模板化结构体包括第一二元合金的层，所述第一二元合金包括铂‑铝(PtAl)。

公开(公告)号：CN109817805B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201811317318.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伊克蒂亚尔 ,  M.T.克劳恩比 ,  X.唐

IPC: H10N50/10 ,  H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/01 ,  H10B61/00

Abstract: 描述了提供磁性结的方法和使用该磁性结制造的存储器。该方法包括提供钉扎层、非磁性间隔层、以及在稳定的磁状态之间可切换的自由层。非磁性间隔层在钉扎层与自由层之间。提供钉扎层和/或提供自由层包括冷却磁性结的一部分、当磁性结的所述部分冷却时沉积润湿层、氧化/氮化润湿层、以及在氧化物/氮化物润湿层上沉积无硼磁层。磁性结的所述部分被冷却到包括不大于250K的温度(们)的温度范围内。润湿层具有至少0.25个单层且不多于三个单层的厚度。润湿层包括至少一种磁性材料。无硼磁层具有大于平面外退磁能的垂直磁各向异性能。

公开(公告)号：CN109817805A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811317318.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伊克蒂亚尔 ,  M.T.克劳恩比 ,  X.唐

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 描述了提供磁性结的方法和使用该磁性结制造的存储器。该方法包括提供钉扎层、非磁性间隔层、以及在稳定的磁状态之间可切换的自由层。非磁性间隔层在钉扎层与自由层之间。提供钉扎层和/或提供自由层包括冷却磁性结的一部分、当磁性结的所述部分冷却时沉积润湿层、氧化/氮化润湿层、以及在氧化物/氮化物润湿层上沉积无硼磁层。磁性结的所述部分被冷却到包括不大于250K的温度(们)的温度范围内。润湿层具有至少0.25个单层且不多于三个单层的厚度。润湿层包括至少一种磁性材料。无硼磁层具有大于平面外退磁能的垂直磁各向异性能。