公开(公告)号：CN104934529B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201510119636.2

申请日：2015-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.W.埃里克森 ,  X.唐 ,  李将银

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明描述了一种用于提供可在磁性器件中使用的磁性结的方法以及该磁性结。该方法包括提供自由层、被钉扎层以及在自由层和被钉扎层之间的非磁性间隔层。自由层在写电流经过磁性结时可在多个稳定的磁态之间切换。提供自由层的步骤中的至少一个包括第一多个步骤，提供被钉扎层的步骤包括第二多个步骤。第一和第二多个步骤包括沉积层的一部分、沉积牺牲层、退火磁性结的在牺牲层下面的部分以及沉积该层的剩余部分。该层可以是自由层、被钉扎层或两者。

公开(公告)号：CN103579497B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310308993.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： C-M.朴 ,  D.W.埃里克森 ,  M.T.克劳恩比

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了磁性结、磁存储器、用于提供磁性结的方法和系统。该方法和设备在基板上提供包括磁性结的磁存储器。该设备包括RIE室和离子研磨室。RIE室和离子研磨室被耦接使得磁存储器可在RIE室和离子研磨室之间移动而不将磁存储器暴露到周围环境。该方法提供磁性结层和在磁性结层上的硬掩模层。硬掩模利用RIE由硬掩模层形成。磁性结层在RIE之后被离子研磨，而不在RIE之后将磁存储器暴露到周围环境。离子研磨磁性结层限定每个磁性结的至少部分。可以提供磁性结。磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。自由层具有不大于20纳米的宽度并在写电流流过磁性结时可转换。

公开(公告)号：CN103579497A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310308993.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： C-M.朴 ,  D.W.埃里克森 ,  M.T.克劳恩比

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了磁性结、磁存储器、用于提供磁性结的方法和系统。该方法和设备在基板上提供包括磁性结的磁存储器。该设备包括RIE室和离子研磨室。RIE室和离子研磨室被耦接使得磁存储器可在RIE室和离子研磨室之间移动而不将磁存储器暴露到周围环境。该方法提供磁性结层和在磁性结层上的硬掩模层。硬掩模利用RIE由硬掩模层形成。磁性结层在RIE之后被离子研磨，而不在RIE之后将磁存储器暴露到周围环境。离子研磨磁性结层限定每个磁性结的至少部分。可以提供磁性结。磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。自由层具有不大于20纳米的宽度并在写电流流过磁性结时可转换。

公开(公告)号：CN104934529A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510119636.2

申请日：2015-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.W.埃里克森 ,  X.唐 ,  李将银

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明描述了一种用于提供可在磁性器件中使用的磁性结的方法以及该磁性结。该方法包括提供自由层、被钉扎层以及在自由层和被钉扎层之间的非磁性间隔层。自由层在写电流经过磁性结时可在多个稳定的磁态之间切换。提供自由层的步骤中的至少一个包括第一多个步骤，提供被钉扎层的步骤包括第二多个步骤。第一和第二多个步骤包括沉积层的一部分、沉积牺牲层、退火磁性结的在牺牲层下面的部分以及沉积该层的剩余部分。该层可以是自由层、被钉扎层或两者。