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公开(公告)号：CN103971726A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410042855.0
申请日：2014-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明涉及电压辅助的自旋转移力矩磁随机存取存储器写方案。实施例包括用于半导体存储器件的三端头磁元件。所述磁元件包括：参考层；自由层；布置在所述参考层与所述自由层之间的阻挡层；第一电极；布置在所述电极与所述自由层之间的绝缘层；以及耦接到所述自由层的侧壁的第二电极。
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公开(公告)号：CN110224058A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910131941.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了磁性器件以及对该磁性器件编程的方法。该磁性器件包括多个磁性结和具有多个侧面的至少一个自旋-轨道相互作用(SO)活性层。SO活性层(们)在与所述多个侧面基本上平行的方向(们)上传输电流。磁性结(们)的每个与所述侧面相邻并且基本上围绕SO活性层的一部分。每个磁性结包括自由层、参考层和在参考层与自由层之间的非磁性间隔物层。SO活性层(们)由于穿过SO活性层(们)的电流而对自由层施加SO转矩。自由层在稳定磁性状态之间可切换。自由层可以使用所述电流进行写入，并且在一些方面可以使用驱动经过磁性结的另一电流进行写入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224058B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201910131941.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了磁性器件以及对该磁性器件编程的方法。该磁性器件包括多个磁性结和具有多个侧面的至少一个自旋‑轨道相互作用(SO)活性层。SO活性层(们)在与所述多个侧面基本上平行的方向(们)上传输电流。磁性结(们)的每个与所述侧面相邻并且基本上围绕SO活性层的一部分。每个磁性结包括自由层、参考层和在参考层与自由层之间的非磁性间隔物层。SO活性层(们)由于穿过SO活性层(们)的电流而对自由层施加SO转矩。自由层在稳定磁性状态之间可切换。自由层可以使用所述电流进行写入，并且在一些方面可以使用驱动经过磁性结的另一电流进行写入。
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公开(公告)号：CN103971726B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410042855.0
申请日：2014-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明涉及电压辅助的自旋转移力矩磁随机存取存储器写方案。实施例包括用于半导体存储器件的三端头磁元件。所述磁元件包括：参考层；自由层；布置在所述参考层与所述自由层之间的阻挡层；第一电极；布置在所述电极与所述自由层之间的绝缘层；以及耦接到所述自由层的侧壁的第二电极。
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公开(公告)号：CN102867538B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210236344.3
申请日：2012-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： D.阿帕尔科夫 , 唐学体 , M.T.克罗恩比 , V.尼基廷 , A.V.克瓦尔科夫斯基
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及磁性结及其使用方法和磁存储器及系统。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。该非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。磁性结被配置为使得当写入电流流经磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换。自由层和被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属。
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公开(公告)号：CN110224062A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910145057.3
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了磁性结、使用该磁性结的磁存储器和提供该磁性结的方法。该磁性结包括第一参考层、具有第一厚度的主势垒层、自由层、设计制造的辅助势垒层和第二参考层。当写入电流穿过磁性结时，自由层在稳定的磁性状态之间可切换。主势垒层在第一参考层与自由层之间。辅助势垒层在自由层与第二参考层之间。设计制造的辅助势垒层具有电阻、小于第一厚度的第二厚度、以及拥有比所述电阻小的减小的电阻的多个区域。自由层和参考层每个具有垂直磁各向异性能和小于所述垂直磁各向异性能的面外退磁能。
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公开(公告)号：CN102867538A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210236344.3
申请日：2012-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： D.阿帕尔科夫 , 唐学体 , M.T.克罗恩比 , V.尼基廷 , A.V.克瓦尔科夫斯基
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及磁性结及其使用方法和磁存储器及系统。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。该非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。磁性结被配置为使得当写入电流流经磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换。自由层和被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属。
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