公开(公告)号：CN110224062A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910145057.3

申请日：2019-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.郑 ,  D.阿帕尔科夫 ,  V.尼基廷

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 描述了磁性结、使用该磁性结的磁存储器和提供该磁性结的方法。该磁性结包括第一参考层、具有第一厚度的主势垒层、自由层、设计制造的辅助势垒层和第二参考层。当写入电流穿过磁性结时，自由层在稳定的磁性状态之间可切换。主势垒层在第一参考层与自由层之间。辅助势垒层在自由层与第二参考层之间。设计制造的辅助势垒层具有电阻、小于第一厚度的第二厚度、以及拥有比所述电阻小的减小的电阻的多个区域。自由层和参考层每个具有垂直磁各向异性能和小于所述垂直磁各向异性能的面外退磁能。

公开(公告)号：CN113471208A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110346429.6

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.郑 ,  金英宇 ,  金宰成 ,  印炯烈

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。

公开(公告)号：CN215220721U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120661877.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.郑 ,  金英宇 ,  金宰成 ,  印炯烈

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 本实用新型提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。