公开(公告)号：CN102867538A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210236344.3

申请日：2012-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  唐学体 ,  M.T.克罗恩比 ,  V.尼基廷 ,  A.V.克瓦尔科夫斯基

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁性结及其使用方法和磁存储器及系统。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。该非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。磁性结被配置为使得当写入电流流经磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换。自由层和被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属。

公开(公告)号：CN102867538B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210236344.3

申请日：2012-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  唐学体 ,  M.T.克罗恩比 ,  V.尼基廷 ,  A.V.克瓦尔科夫斯基

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁性结及其使用方法和磁存储器及系统。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。该非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。磁性结被配置为使得当写入电流流经磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换。自由层和被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属。