公开(公告)号：CN112711818A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011146029.2

申请日：2020-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： T.拉克希特 ,  R.哈奇尔 ,  M.A.安瓦尔

IPC: G06F30/17 ,  G06F30/27 ,  G06N3/04 ,  G06N3/063 ,  G06N3/08 ,  G06N20/00 ,  G06F113/14

Abstract: 一种神经网络的管道推理的方法，其中，神经网络包括第i层(i是大于零的整数)、第(i+1)层和第(i+2)层，所述方法包括处理第i层的第一组第i值以生成第(i+1)层的第(i+1)值，确定第(i+1)值的数量足以进行处理，并且响应于所述确定，在同时处理第i层的第二组第i值的同时，处理所述第(i+1)值以生成用于第(i+2)层的输出值。

公开(公告)号：CN111640459A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010127110.X

申请日：2020-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： T.拉克希特 ,  R.哈彻 ,  J.A.基特尔

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/18 ,  G11C14/00

Abstract: 一种非易失性数据保持电路包括：互补锁存器，被配置为当处于写入模式时，生成并存储对应于输入信号的互补非易失性自旋状态，并且当处于读取模式时，同时生成对应于互补非易失性自旋状态的第一充电电流信号和第二充电电流信号；以及差分放大器，耦合到互补锁存器，并被配置为基于第一充电电流信号和第二充电电流信号来生成输出信号。

公开(公告)号：CN112750068A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011171408.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.A.安瓦尔 ,  R.哈彻 ,  T.拉克希特

IPC: G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  G06T5/20 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F17/16 ,  G06F7/523

Abstract: 本申请涉及基于神经网络处理图像的方法与系统及存储器中处理系统。所述神经网络包括第i层(i是大于零的整数)和第(i+1)层，所述方法包括：对于第一输入图像，处理所述第i层的第一第i值，以生成用于所述第(i+1)层的第一第(i+1)值，对于所述第一输入图像，处理所述第(i+1)层的所述第一第(i+1)值，以生成输出值，以及在对于所述第一输入图像处理所述第一第(i+1)值的同时，对于第二输入图像，处理所述第i层的第二第i值以生成第二第(i+1)值。

公开(公告)号：CN112750068B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202011171408.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.A.安瓦尔 ,  R.哈彻 ,  T.拉克希特

IPC: G06F30/27

Abstract: 本申请涉及基于神经网络处理图像的方法与系统及存储器中处理系统。所述神经网络包括第i层(i是大于零的整数)和第(i+1)层，所述方法包括：对于第一输入图像，处理所述第i层的第一第i值，以生成用于所述第(i+1)层的第一第(i+1)值，对于所述第一输入图像，处理所述第(i+1)层的所述第一第(i+1)值，以生成输出值，以及在对于所述第一输入图像处理所述第一第(i+1)值的同时，对于第二输入图像，处理所述第i层的第二第i值以生成第二第(i+1)值。

公开(公告)号：CN111640463A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010122849.1

申请日：2020-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： R.M.哈彻 ,  T.拉克希特 ,  J.基特尔 ,  R.森古普塔 ,  D.帕尔 ,  洪俊顾

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/402

Abstract: 本文公开了一种低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元和设备。权重单元包括：第一场效应晶体管(FET)和连接到第一FET的漏极的第一电阻性存储器元件；第二FET和连接到第二FET的漏极的第二电阻性存储器元件，第一晶体管的漏极FET连接到第二FET的栅极，第二FET的漏极连接到第一FET的栅极；第三FET；以及连接到第三FET的漏极的负载电阻器。