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发明公开
低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元审中-公开

公开(公告)号：CN111640463A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010122849.1

申请日：2020-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： R.M.哈彻 , T.拉克希特 , J.基特尔 , R.森古普塔 , D.帕尔 , 洪俊顾

IPC: G11C13/00 , G11C11/402

Abstract: 本文公开了一种低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元和设备。权重单元包括：第一场效应晶体管(FET)和连接到第一FET的漏极的第一电阻性存储器元件；第二FET和连接到第二FET的漏极的第二电阻性存储器元件，第一晶体管的漏极FET连接到第二FET的栅极，第二FET的漏极连接到第一FET的栅极；第三FET；以及连接到第三FET的漏极的负载电阻器。

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