公开(公告)号：CN103887423B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201310711863.5

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  C-M.朴 ,  R.切普尔斯基 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  唐学体

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种提供可用在磁性装置中的磁性结的方法和系统。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层具有设计垂直磁各向异性。设计PMA包括绝缘插入层诱导PMA、应力诱导PMA、由于界面对称破坏导致的PMA以及晶格失配诱导PMA中的至少一个。磁性结被配置为使得当写电流通过磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换。

公开(公告)号：CN103887426B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201310713692.X

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： K.陈 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  D.阿帕尔科夫

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种磁存储器、在磁器件中使用的磁性结和提供磁性结的方法。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括具有非磁间隔层的多个磁层。该磁性结还包括至少一个无扩散相变层。该磁性结被配置为在写电流穿过磁性结时可在多个稳定的磁状态之间转换。

公开(公告)号：CN103887423A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310711863.5

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  C-M.朴 ,  R.切普尔斯基 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  唐学体

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种提供可用在磁性装置中的磁性结的方法和系统。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层具有设计垂直磁各向异性。设计PMA包括绝缘插入层诱导PMA、应力诱导PMA、由于界面对称破坏导致的PMA以及晶格失配诱导PMA中的至少一个。磁性结被配置为使得当写电流通过磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换。

公开(公告)号：CN103887425B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201310713668.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  V.尼基丁 ,  S.M.沃茨

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法。该磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层、非磁性间隔层和参考层相对于基板形成非零度角。该磁性结被配置使得当写入电流穿过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。

公开(公告)号：CN103887426A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713692.X

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： K.陈 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  D.阿帕尔科夫

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种磁存储器、在磁器件中使用的磁性结和提供磁性结的方法。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括具有非磁间隔层的多个磁层。该磁性结还包括至少一个无扩散相变层。该磁性结被配置为在写电流穿过磁性结时可在多个稳定的磁状态之间转换。

公开(公告)号：CN103887425A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713668.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  V.尼基丁 ,  S.M.沃茨

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1675

Abstract: 本发明提供了磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法。该磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层、非磁性间隔层和参考层相对于基板形成非零度角。该磁性结被配置使得当写入电流穿过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。