-
公开(公告)号：CN103887423A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310711863.5
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： D.阿帕尔科夫 , C-M.朴 , R.切普尔斯基 , A.V.科瓦尔科夫斯基 , 唐学体
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 一种提供可用在磁性装置中的磁性结的方法和系统。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层具有设计垂直磁各向异性。设计PMA包括绝缘插入层诱导PMA、应力诱导PMA、由于界面对称破坏导致的PMA以及晶格失配诱导PMA中的至少一个。磁性结被配置为使得当写电流通过磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换。
-
公开(公告)号：CN103887423B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201310711863.5
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： D.阿帕尔科夫 , C-M.朴 , R.切普尔斯基 , A.V.科瓦尔科夫斯基 , 唐学体
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 一种提供可用在磁性装置中的磁性结的方法和系统。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层具有设计垂直磁各向异性。设计PMA包括绝缘插入层诱导PMA、应力诱导PMA、由于界面对称破坏导致的PMA以及晶格失配诱导PMA中的至少一个。磁性结被配置为使得当写电流通过磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换。
-
公开(公告)号：CN103579497B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310308993.4
申请日：2013-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了磁性结、磁存储器、用于提供磁性结的方法和系统。该方法和设备在基板上提供包括磁性结的磁存储器。该设备包括RIE室和离子研磨室。RIE室和离子研磨室被耦接使得磁存储器可在RIE室和离子研磨室之间移动而不将磁存储器暴露到周围环境。该方法提供磁性结层和在磁性结层上的硬掩模层。硬掩模利用RIE由硬掩模层形成。磁性结层在RIE之后被离子研磨，而不在RIE之后将磁存储器暴露到周围环境。离子研磨磁性结层限定每个磁性结的至少部分。可以提供磁性结。磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。自由层具有不大于20纳米的宽度并在写电流流过磁性结时可转换。
-
公开(公告)号：CN103579497A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310308993.4
申请日：2013-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了磁性结、磁存储器、用于提供磁性结的方法和系统。该方法和设备在基板上提供包括磁性结的磁存储器。该设备包括RIE室和离子研磨室。RIE室和离子研磨室被耦接使得磁存储器可在RIE室和离子研磨室之间移动而不将磁存储器暴露到周围环境。该方法提供磁性结层和在磁性结层上的硬掩模层。硬掩模利用RIE由硬掩模层形成。磁性结层在RIE之后被离子研磨，而不在RIE之后将磁存储器暴露到周围环境。离子研磨磁性结层限定每个磁性结的至少部分。可以提供磁性结。磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。自由层具有不大于20纳米的宽度并在写电流流过磁性结时可转换。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
