公开(公告)号：CN103887423A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310711863.5

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  C-M.朴 ,  R.切普尔斯基 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  唐学体

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种提供可用在磁性装置中的磁性结的方法和系统。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层具有设计垂直磁各向异性。设计PMA包括绝缘插入层诱导PMA、应力诱导PMA、由于界面对称破坏导致的PMA以及晶格失配诱导PMA中的至少一个。磁性结被配置为使得当写电流通过磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换。

公开(公告)号：CN116234416A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211531856.2

申请日：2022-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  R.切普尔斯基

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10

Abstract: 一种磁阻隧道结(MTJ)存储器元件，包括磁性参考层(RL)、磁性自由层(FL)、在磁性RL和磁性FL之间延伸的隧穿势垒层、以及在磁性FL上延伸的扩散阻挡层(DBL)。扩散阻挡层包括从由铋(Bi)、锑(Sb)、锇(Os)、铼(Re)、锡(Sn)、铑(Rh)、铟(In)和镉(Cd)组成的组中选择的至少一种材料。氧化物层也提供在DBL上。氧化物层可以包括锶(Sr)、钪(Sc)、铍(Be)、钙(Ca)、钇(Y)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种。

公开(公告)号：CN103887423B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201310711863.5

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  C-M.朴 ,  R.切普尔斯基 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  唐学体

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种提供可用在磁性装置中的磁性结的方法和系统。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层具有设计垂直磁各向异性。设计PMA包括绝缘插入层诱导PMA、应力诱导PMA、由于界面对称破坏导致的PMA以及晶格失配诱导PMA中的至少一个。磁性结被配置为使得当写电流通过磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换。