公开(公告)号：CN103887426B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201310713692.X

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： K.陈 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  D.阿帕尔科夫

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种磁存储器、在磁器件中使用的磁性结和提供磁性结的方法。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括具有非磁间隔层的多个磁层。该磁性结还包括至少一个无扩散相变层。该磁性结被配置为在写电流穿过磁性结时可在多个稳定的磁状态之间转换。

公开(公告)号：CN103887426A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713692.X

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： K.陈 ,  A.V.科瓦尔科夫斯基 ,  D.阿帕尔科夫

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种磁存储器、在磁器件中使用的磁性结和提供磁性结的方法。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括具有非磁间隔层的多个磁层。该磁性结还包括至少一个无扩散相变层。该磁性结被配置为在写电流穿过磁性结时可在多个稳定的磁状态之间转换。