-
公开(公告)号：CN108630656B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201810228911.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供了半导体集成电路以及形成电源轨的方法。一种半导体集成电路包括衬底、一系列金属层和一系列绝缘层。金属层和绝缘层在衬底上交替地布置成堆叠。半导体集成电路还包括在衬底中的至少两个标准单元以及跨过所述至少两个标准单元的边界的至少一个电源轨。电源轨包括连续地延伸穿过所述堆叠的至少两个竖直层级的导电材料的竖直部分。所述堆叠的所述至少两个竖直层级包括一个金属层和一个绝缘层。该绝缘层在该金属层之下。
-
公开(公告)号：CN108630656A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810228911.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/31111 , H01L21/3212 , H01L21/32133 , H01L21/76805 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53209 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L27/0207 , H01L2027/11881 , H01L23/522 , H01L24/27
Abstract: 本公开提供了半导体集成电路以及形成电源轨的方法。一种半导体集成电路包括衬底、一系列金属层和一系列绝缘层。金属层和绝缘层在衬底上交替地布置成堆叠。半导体集成电路还包括在衬底中的至少两个标准单元以及跨过所述至少两个标准单元的边界的至少一个电源轨。电源轨包括连续地延伸穿过所述堆叠的至少两个竖直层级的导电材料的竖直部分。所述堆叠的所述至少两个竖直层级包括一个金属层和一个绝缘层。该绝缘层在该金属层之下。
-
公开(公告)号：CN107403025B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201710352091.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/3312 , G06F30/396 , G06F30/398 , G06F119/12
Abstract: 根据一个一般方面，一种方法可以包括接收电路模型，该电路模型包括通过相应的单元所表示的逻辑电路。该方法可以包括提供对电路模型的定时调整。该提供可以包括：通过采用亚微米应力效应来确定作为用于调整的候选的一个或多个相应的单元，并且，对于每个候选，利用受应力单元来替换候选单元，其中，候选单元和受应力单元执行相同的逻辑功能。每个受应力单元可以包括：栅极电极；被安置为切割栅极电极的第一栅极切割形状，其中，第一栅极切割形状被安置在行边界上；安置在行边界上的第二栅极切割形状；被安置在第一栅极切割形状与第二栅极切割形状之间的栅极切割中断；有源区；以及被安置为切割有源区的有源切割形状。
-
公开(公告)号：CN107403025A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710352091.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G01R31/317 , G06F17/5031 , G06F2217/62 , G06F2217/84 , G06F17/5036 , G06F17/5068 , G06F17/5072
Abstract: 根据一个一般方面，一种方法可以包括接收电路模型，该电路模型包括通过相应的单元所表示的逻辑电路。该方法可以包括提供对电路模型的定时调整。该提供可以包括：通过采用亚微米应力效应来确定作为用于调整的候选的一个或多个相应的单元，并且，对于每个候选，利用受应力单元来替换候选单元，其中，候选单元和受应力单元执行相同的逻辑功能。每个受应力单元可以包括：栅极电极；被安置为切割栅极电极的第一栅极切割形状，其中，第一栅极切割形状被安置在行边界上；安置在行边界上的第二栅极切割形状；被安置在第一栅极切割形状与第二栅极切割形状之间的栅极切割中断；有源区；以及被安置为切割有源区的有源切割形状。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
