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公开(公告)号：CN1098221A
公开(公告)日：1995-02-01
申请号：CN94103086.5
申请日：1994-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/00 , G11C11/419
CPC classification number: H01L27/115 , G11C17/123 , H01L27/112
Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN1153984A
公开(公告)日：1997-07-09
申请号：CN95119733.9
申请日：1995-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C29/84
Abstract: 此处公开的是一种用来在处理过程中储存信息并带有在处理完成之后储存可替换故障存储单元的数据的信息的备用存储单元的半导体存储器件的冗余电路，其中若从外部输入指明故障存储单元的地址，则相应于此地址产生内部故障单元替换地址，致使储存在正常存储单元中的数据的读出截止，并对应于内部故障单元替换地址输出可替换故障数据的校正数据。
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公开(公告)号：CN1096681C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN95119733.9
申请日：1995-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C29/84
Abstract: 此处公开的是一种用来在处理过程中储存信息并带有在处理完成之后储存可替换故障存储单元的数据的信息的备用存储单元的半导体存储器件的冗余电路，其中若从外部输入指明故障存储单元的地址，则相应于此地址产生内部故障单元替换地址，致使储存在正常存储单元中的数据的读出截止，并对应于内部故障单元替换地址输出可替换故障数据的校正数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1101451A
公开(公告)日：1995-04-12
申请号：CN94102724.4
申请日：1994-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C14/00
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C17/123
Abstract: 一种存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体集成电路。一种非易失性半导体集成电路，其存储单元阵列由多个各个具有第1至第N个“与非”结构的存储单元晶体管组成，该存储器有多个与第一存储单元晶体管串联连接的第一串选择晶体管的多个与第N个存储单元晶体管串联连接的第二串选择晶体管相连接。其中一个与第1和第N个存储单元串联连接的串选择晶体管，其控制端子接一个接地点，从而具有地选择功能和串选择功能。
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公开(公告)号：CN1322585C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03158768.2
申请日：2003-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: G11C17/143 , G11C29/785 , H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 依照本发明的一种熔丝电路，包括第一和第二熔丝，每个熔丝都有第一端和第二端。第一熔丝的第一和第二端直线相连。第二熔丝的第一端与第一熔丝的第一端间隔第一间隔，其第二端与第一熔丝的第二端间隔开第二间隔。第一和第二熔丝的第一端的宽度与其第二端的宽度相等。另外，第一和第二熔丝的第一端宽度比其第二端的宽度窄。
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公开(公告)号：CN1494145A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03158768.2
申请日：2003-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: G11C17/143 , G11C29/785 , H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 依照本发明的一种熔丝电路，包括第一和第二熔丝，每个熔丝都有第一端和第二端。第一熔丝的第一和第二端直线相连。第二熔丝的第一端与第一熔丝的第一端间隔第一间隔，其第二端与第一熔丝的第二端间隔开第二间隔。第一和第二熔丝的第一端的宽度与其第二端的宽度相等。另外，第一和第二熔丝的第一端宽度比其第二端的宽度窄。
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公开(公告)号：CN1037722C
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：CN94103086.5
申请日：1994-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/00 , G11C11/419
CPC classification number: H01L27/115 , G11C17/123 , H01L27/112
Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN1033344C
公开(公告)日：1996-11-20
申请号：CN94102724.4
申请日：1994-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C14/00
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C17/123
Abstract: 一种存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体集成电路。一种非易失性半导体集成电路，其存储单元阵列由多个各个具有第1至第N个“与非”结构的存信单元晶体管组成，该存储器有多个与第一存储单元晶体管串联连接的第一串选择晶体管的多个与第N个存储单元晶体管串联连接的第二串选择晶体管相连接。其中一个与第1和第N个存储单元串联连接的串选择晶体管，其控制端子接一个接地点，从而具有地选择功能和串选择功能。
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