公开(公告)号：CN1037722C

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN94103086.5

申请日：1994-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯坤 ,  黄相基 ,  张哲雄 ,  高宁尉 ,  赵星熙

IPC: G11C17/00 ,  G11C11/419

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C17/123 ,  H01L27/112

Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1098221A

公开(公告)日：1995-02-01

申请号：CN94103086.5

申请日：1994-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯坤 ,  黄相基 ,  张喆雄 ,  高宁尉 ,  赵星熙

IPC: G11C17/00 ,  G11C11/419

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C17/123 ,  H01L27/112

Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。