公开(公告)号：CN1072528A

公开(公告)日：1993-05-26

申请号：CN92113235.2

申请日：1992-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯坤 ,  张喆雄 ,  赵星熙

IPC: G11C7/00 ,  G11C8/00

CPC classification number: G11C7/1048 ,  G11C7/12 ,  G11C7/22 ,  G11C8/18

Abstract: 一个带有地址转换探测电路的半导体存贮器，包括一个输入信号探测器100B。用以接收在输入缓冲器中被缓冲的外部输入信号，一个控制装置100C用以响应输入信号探测器的输出信号产生一个信号ΦPzd，控制一个读出放大器，一个补偿信号发生器100D，用以产生一个补偿信号SACS以通过接收输入信号探测器和控制装置的输出信号补偿一对二进制位线和/或数据输入输出线路。因此，二进制位线和/或数据输入/输出线路在读出放大器不工作期间总是被补偿的。

公开(公告)号：CN1139075C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN97107264.7

申请日：1997-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张喆雄

IPC: G11C17/12 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C17/126 ,  G11C7/12

Abstract: 一种具有分级位线结构的NOR型掩膜ROM装置，包括，比例为2∶1的第一和第二位线装置；分别对应第二位线的地线；每一个连接在第一位线的相应的奇数位线的一端和第二位线的相应位线的一端之间的第一开关；每一个连接在第二位线的相应偶数位线的一端和地线的相应地线一端之间的第二开关装置；把在第一位线的至少一个选取位线两侧的第一位线的至少一相邻非选取位线充电到预定的电压电平的充电电路，在预充电操作完成后通过第二位线的至少一个选取的位线读出数据。

公开(公告)号：CN1098221A

公开(公告)日：1995-02-01

申请号：CN94103086.5

申请日：1994-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯坤 ,  黄相基 ,  张喆雄 ,  高宁尉 ,  赵星熙

IPC: G11C17/00 ,  G11C11/419

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C17/123 ,  H01L27/112

Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。