Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"黄炫晶" Page 1

1.

发明公开
反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法审中-实审

公开(公告)号：CN117452763A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310912279.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵亨钟 , 黄炫晶 , 金熙范 , 沈星辅 , 李承润 , 郑羽容 , 黄灿

IPC: G03F1/24 , G03F1/22 , G03F1/26 , G03F1/46 , G03F1/42

Abstract: 本公开提供了反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法。一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中具有预定线宽的线和间隔图案。

Patent Agency Ranking