公开(公告)号：CN102280992A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110113535.6

申请日：2011-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  黄仁俊 ,  洪起夏

IPC: H02M1/32 ,  H02M1/088

CPC classification number: H03K17/163 ,  H03K17/284

Abstract: 一种电源设备，包括：开关设备，具有控制端和输出端；以及驱动电路，配置为向该控制端提供驱动电压以使得该控制端与该输出端之间的电压维持小于或等于临界电压。根据该开关设备的电流-电压特性确定该驱动电压达到目标电平所需的上升时间。而且，当该控制端与该输出端之间的电压超过该临界电压时，在该控制端与该输出端之间产生泄漏电流。

公开(公告)号：CN101855727A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115280.3

申请日：2008-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪起夏 ,  李晟熏 ,  金钟燮 ,  申在光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F1/404 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01L29/82

Abstract: 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。

公开(公告)号：CN101308867A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810096571.4

申请日：2008-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  李晟熏 ,  薛光洙 ,  陈暎究 ,  金钟燮

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L21/28282 ,  G11C16/349 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括：沟道区，具有上端，其中，上端的两侧弯曲，两侧的弯曲部分允许在编程或擦除中将电荷注入到两侧的弯曲部分中，使得注入有电荷的弯曲部分与确定阈值电压的部分分开；栅极结构，在沟道区上。

公开(公告)号：CN120035165A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202410780055.2

申请日：2024-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成锡 ,  金桑贤 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴俊赫 ,  吴在浚 ,  李政昱

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层上并且包括与所述沟道层中包括的材料比具有不同的能带隙的材料；栅电极，所述栅电极位于所述阻挡层上；栅极半导体层，所述栅极半导体层位于所述阻挡层与所述栅电极之间；保护层，所述保护层位于所述阻挡层和所述栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述栅电极的两侧并且延伸穿过所述保护层，以覆盖所述沟道层和所述阻挡层的侧表面；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述保护层内，覆盖所述阻挡层和所述栅电极并且包括氮。

公开(公告)号：CN117855262A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311031978.X

申请日：2023-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊赫 ,  吴在浚 ,  黄瑄珪 ,  金宝蓝 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205

Abstract: 半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可包括沟道层上的势垒层、势垒层上的栅电极、势垒层与栅电极之间的栅极半导体层、以及沟道层上的彼此间隔开的源极和漏极。势垒层可具有比沟道层大的能带隙。栅极半导体层可包括接触势垒层的第一表面、接触栅电极的第二表面、以及连接第一表面与第二表面的侧壁。栅极半导体层的第二表面的区域可比第一表面的区域窄。栅极半导体层的侧壁可包括具有不同斜率的多个表面。

公开(公告)号：CN101719510B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN200910177796.7

申请日：2009-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申在光 ,  徐顺爱 ,  金钟燮 ,  洪起夏 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66977

Abstract: 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。

公开(公告)号：CN103915488A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410120822.3

申请日：2010-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪起夏 ,  金钟燮 ,  申在光

IPC: H01L29/66 ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  B82Y25/00

CPC classification number: H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254

Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。

公开(公告)号：CN103311289A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210427387.X

申请日：2012-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  金钟燮 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT）和制造HEMT的方法，该HEMT的封装是容易的，该HEMT包括：缓冲层；沟道层，形成在缓冲层上并包括二维电子气（2DEG）沟道；沟道提供层，形成在沟道层上；源电极、漏电极和栅电极，形成在沟道提供层上；源极接触垫，连接到源电极；漏极接触垫，连接到漏电极；以及栅极接触垫，连接到栅电极，其中源极接触垫、漏极接触垫和栅极接触垫中的一个或两个设置在缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。

公开(公告)号：CN102916044A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210256482.8

申请日：2012-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  崔赫洵 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  金钟燮 ,  洪起夏 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/373 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。HEMT包括：基板；以及形成在基板上的HEMT层叠，其中所述HEMT层叠包括：包括2维电子气（2DEG）的化合物半导体层；上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极和栅极，其中所述基板是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的氮化物基板。所述基板可以包括具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的绝缘层、设置在所述绝缘层上的金属层、以及附接到所述金属层的板。

公开(公告)号：CN102194867A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110051882.0

申请日：2011-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  洪起夏 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。