公开(公告)号：CN110060942B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201811608953.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN104051299A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090605.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN111834249B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN111524827A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201911364983.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勳 ,  李轸雨 ,  金石训 ,  金仁基 ,  辛承敃 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 提供了一种半导体器件制造设备。所述半导体器件制造设备包括：旋转器，被构造为保持晶圆；喷嘴，被构造为将液体化学品供应到晶圆的上表面上；以及激光模块，被构造为在喷嘴将液体化学品供应到晶圆的上表面上的同时通过将激光束辐射到晶圆的下表面来加热晶圆。

公开(公告)号：CN110890263A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910515871.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  金石训 ,  金伶厚 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  朴晟见 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种干法清洗设备包括：腔室；基板支撑件，支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体，喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光，从而加热基板。

公开(公告)号：CN107170700A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710514602.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN103151285B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201210524045.X

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  F26B5/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN110875225B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN107170700B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201710514602.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN111834249A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。