公开(公告)号：CN110880474B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910366717.0

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东觉 ,  金玟佑 ,  金奉炫 ,  朴禧影 ,  安瑞珍 ,  李元容

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/552 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中限定有源区的沟槽；在沟槽内有源区的底表面和侧表面上的第一绝缘层；第一绝缘层的表面上的屏蔽层，该屏蔽层包括多个间隔开的颗粒；屏蔽层上的第二绝缘层，其中捕获有第一电荷，该多个间隔开的颗粒被配置为集中极性与第二绝缘层中捕获的第一电荷相反的第二电荷；以及在沟槽中第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。

公开(公告)号：CN113011546B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202011485400.8

申请日：2020-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁宰 ,  金玟佑 ,  高丞完

IPC: G06K19/077

Abstract: 一种存储器卡包括：布置在第一行中的第一地端子，其将地电压提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器；布置在第二行中的通用闪速存储(UFS)端子，其包括提供第二电力的第一UFS端子、提供参考时钟信号的第二UFS端子和提供输入/输出数据到存储器控制器的路径的第三UFS端子；以及布置在第三行中的第一电力端子，其将第一电源电压(VCC)提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器。存储器卡的大小由纳米用户识别模块(SIM)卡标准限定，第一地端子与纳米SIM卡标准的“C5”端子相对应，并且第一电力端子与纳米SIM卡标准的“C1”端子相对应。

公开(公告)号：CN114942894A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111372889.2

申请日：2021-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金玟佑 ,  朴大奎

IPC: G06F12/0862

Abstract: 一种存储控制器，包括：预取缓冲器，被配置为缓冲在预取操作期间从非易失性存储器预取的数据；确定器电路，被配置为输出所述预取数据和从所述非易失性存储器读取的正常数据中的一个作为读取数据；以及预取控制电路，被配置为当对所述非易失性存储器执行顺序读取操作时在第一时间期间启用所述预取操作，在所述第一时间之后的第二时刻禁用所述预取操作，以及在第二时间之后的禁用所述预取操作的预取中止时段中根据所述读取数据的性能启用所述预取操作或保持禁用所述预取操作。

公开(公告)号：CN110880474A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910366717.0

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东觉 ,  金玟佑 ,  金奉炫 ,  朴禧影 ,  安瑞珍 ,  李元容

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/552 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中限定有源区的沟槽；在沟槽内有源区的底表面和侧表面上的第一绝缘层；第一绝缘层的表面上的屏蔽层，该屏蔽层包括多个间隔开的颗粒；屏蔽层上的第二绝缘层，其中捕获有第一电荷，该多个间隔开的颗粒被配置为集中极性与第二绝缘层中捕获的第一电荷相反的第二电荷；以及在沟槽中第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。

公开(公告)号：CN101355067A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810130008.4

申请日：2008-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李硕灿 ,  金玟佑

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  G06K19/077 ,  G11C5/00 ,  G11C5/06

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种多芯片模块的改进的电连接。一种半导体封装包括安装在基底上的第一半导体芯片和安装在第一半导体芯片的顶部的第二半导体芯片。在第一半导体芯片的顶部布置多个金属线，金属线与第一半导体芯片中的电路隔离。引线键合将第二半导体芯片上的焊盘连接到第一半导体芯片上的金属线。另外的引线键合将第一半导体芯片上的金属线连接到基底上的端子。导电的硅通孔或焊料凸点可代替金属键合，另外的芯片可包括在所述封装中。

公开(公告)号：CN113011546A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011485400.8

申请日：2020-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁宰 ,  金玟佑 ,  高丞完

IPC: G06K19/077

Abstract: 一种存储器卡包括：布置在第一行中的第一地端子，其将地电压提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器；布置在第二行中的通用闪速存储(UFS)端子，其包括提供第二电力的第一UFS端子、提供参考时钟信号的第二UFS端子和提供输入/输出数据到存储器控制器的路径的第三UFS端子；以及布置在第三行中的第一电力端子，其将第一电源电压(VCC)提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器。存储器卡的大小由纳米用户识别模块(SIM)卡标准限定，第一地端子与纳米SIM卡标准的“C5”端子相对应，并且第一电力端子与纳米SIM卡标准的“C1”端子相对应。

公开(公告)号：CN101355067B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200810130008.4

申请日：2008-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李硕灿 ,  金玟佑

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  G06K19/077 ,  G11C5/00 ,  G11C5/06

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种多芯片模块的改进的电连接。一种半导体封装包括安装在基底上的第一半导体芯片和安装在第一半导体芯片的顶部的第二半导体芯片。在第一半导体芯片的顶部布置多个金属线，金属线与第一半导体芯片中的电路隔离。引线键合将第二半导体芯片上的焊盘连接到第一半导体芯片上的金属线。另外的引线键合将第一半导体芯片上的金属线连接到基底上的端子。导电的硅通孔或焊料凸点可代替引线键合，另外的芯片可包括在所述封装中。