公开(公告)号：CN110880474B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910366717.0

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东觉 ,  金玟佑 ,  金奉炫 ,  朴禧影 ,  安瑞珍 ,  李元容

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/552 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中限定有源区的沟槽；在沟槽内有源区的底表面和侧表面上的第一绝缘层；第一绝缘层的表面上的屏蔽层，该屏蔽层包括多个间隔开的颗粒；屏蔽层上的第二绝缘层，其中捕获有第一电荷，该多个间隔开的颗粒被配置为集中极性与第二绝缘层中捕获的第一电荷相反的第二电荷；以及在沟槽中第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。

公开(公告)号：CN110880474A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910366717.0

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东觉 ,  金玟佑 ,  金奉炫 ,  朴禧影 ,  安瑞珍 ,  李元容

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/552 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中限定有源区的沟槽；在沟槽内有源区的底表面和侧表面上的第一绝缘层；第一绝缘层的表面上的屏蔽层，该屏蔽层包括多个间隔开的颗粒；屏蔽层上的第二绝缘层，其中捕获有第一电荷，该多个间隔开的颗粒被配置为集中极性与第二绝缘层中捕获的第一电荷相反的第二电荷；以及在沟槽中第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。