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公开(公告)号：CN111090538B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910590044.7
申请日：2019-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及存储器模块及操作包括该存储器模块的存储器系统的方法。该存储器模块包括：第一纠错码存储器和多个第一数据存储器的第一通道；以及第二纠错码存储器和多个第二数据存储器的第二通道。第一数据存储器利用存储器控制器发送多个第一数据集中的对应的第一数据集。第一数据集与突发长度相对应。第二数据存储器利用存储器控制器发送多个第二数据集中的对应的第二数据集。第二数据集与突发长度相对应。第一纠错码存储器存储用于检测存储在多个第一数据存储器中的所有多个第一数据集中的至少一个错误的第一子奇偶校验数据。第二纠错码存储器存储用于检测存储在多个第二数据存储器中的所有多个第二数据集中的至少一个错误的第二子奇偶校验数据。
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公开(公告)号：CN113223572A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011157943.7
申请日：2020-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , H01L25/065
Abstract: 根据本发明构思的一些示例实施例，提供了一种操作堆叠式存储器件的方法，所述堆叠式存储器件包括沿垂直方向堆叠的多个存储器裸片，所述方法包括：从存储控制器接收命令和地址；通过对所述地址进行译码确定指示所述多个存储器裸片的子集的堆叠ID；以及访问与所述堆叠ID相对应的存储器裸片的所述子集当中的至少两个存储器裸片，所述至少两个存储器裸片是不相邻的。
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公开(公告)号：CN103853668B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201310648003.1
申请日：2013-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C29/76 , G06F11/073
Abstract: 本发明提供了存储器控制器、包括所述存储器控制器的存储器系统、和所述存储器控制器执行的操作方法。所述操作方法包括以下操作：将第一命令在第一队列中排队；检测对应于第一命令的第一地址的失效；当确定第一地址为失效地址时，将第二地址和第二命令在第一队列中排队，其中通过再映射第一地址而获得第二地址，并且第二命令对应于第二地址；以及从第一队列中输出第二命令和第二地址。
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公开(公告)号：CN107766172A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710376331.9
申请日：2017-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1048 , G11C5/04 , G11C29/42 , G11C29/52 , G06F11/1044
Abstract: 提供了用于DDR SDRAM接口的DRAM辅助纠错机制。一种使用双倍数据速率(DDR)接口来纠正动态随机存取存储器模块(DRAM)的存储器错误的方法包括：使用存储器控制器进行包括多个突发的存储器事务，以将数据从DRAM的数据芯片发送到存储器控制器；使用DRAM的ECC芯片检测一个更或多个错误；使用DRAM的ECC芯片确定具有错误的突发的数量；确定具有错误的突发的数量是否大于阈值数量；确定错误的类型；基于确定的错误的类型来指引存储器控制器，其中，DRAM包括每个存储器通道单个ECC芯片。
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公开(公告)号：CN1465863A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN02150362.1
申请日：2002-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F04B49/06
CPC classification number: F04B35/045 , F04B49/225 , F25B2400/073
Abstract: 一种控制往复式压缩机中制冷剂排放通道的开/关的装置和方法。本发明的装置包括排放通道开/关控制装置，用来控制排放通道的开/关程度，该排放通道能排出和输送往复式压缩机在压缩操作中产生的高压制冷剂。本发明的方法包括检测往复式压缩机的工作状态，将检测到的信息与预设值相比较，并确定往复式压缩机的工作状态是否不正常，并且当往复式压缩机的工作状态不正常时控制往复式压缩机的排放通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112988059A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011483842.9
申请日：2020-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储器装置、电子装置以及存储数据的方法。所述电子装置包括：主机，被配置为输出数据；以及存储器装置，包括存储器存储装置，存储器存储装置被配置为接收数据并存储数据。主机被配置为：根据数据并行化系统生成关于将被提供给存储器装置的数据的数据总线反转(DBI)信息，并且将DBI信息提供给存储器装置，数据并行化系统在存储器装置内部。存储器装置被配置为：将数据提供给存储器存储装置，数据从主机输出，数据根据DBI信息被编码，根据数据并行化系统提供数据。
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公开(公告)号：CN111276174A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910724655.6
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储器装置和处理存储器装置的安全数据的方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，包括被配置为存储安全数据的安全区域；以及安全管理电路，被配置为：存储保护密钥，并且响应于接收到对安全区域的数据操作命令，通过将保护密钥与由所述存储器装置接收的输入密码进行比较来限制对安全区域的数据操作。
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公开(公告)号：CN108074622A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710742400.3
申请日：2017-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42 , G11C7/10 , G06F11/10 , G06F12/0877
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1048 , G11C11/4093 , G11C29/52 , G11C29/42 , G06F11/1004 , G06F12/0877 , G11C7/1006
Abstract: 公开一种存储器控制器、数据芯片及其控制方法。公开一种可污染数据的数据芯片，包括：数据阵列；读取电路，用于从数据阵列读取原数据；缓冲器，用于存储原数据。使数据污染引擎可用存储在屏蔽寄存器中的污染模式，污染原数据。然后传输电路可从缓冲器发送污染的数据。
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公开(公告)号：CN102486931B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201110412500.2
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/063 , H01L25/0657 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置。所述半导体存储器装置包括安装在封装件内的多个通道存储器，并能够最小化或减少硅通孔的数量。关于所述半导体存储器装置，通过共享总线施加关于两个或更多个通道的行命令或行地址。半导体存储器装置能够通过减少硅通孔的数量来减少裸片大小的开销。还提供了一种使用共享总线来驱动包括多个存储器的多通道半导体存储器装置的方法。
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公开(公告)号：CN1249353C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02158410.9
申请日：2002-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F04C28/00 , F04C18/356
CPC classification number: F04C28/18 , F01C21/0863 , F04C18/3564 , F04C23/008
Abstract: 一种可变容量旋转式压缩机，包括：具有限定在其中的圆筒形压缩室的壳体；具有在壳体的压缩室中转动的偏心主体部分的转轴；圆环活塞，所述圆环活塞套在转轴的偏心主体部分上，并且在与压缩室的内表面相接触时转动；叶片，所述叶片安装壳体中，并且根据圆环活塞的转动沿压缩室的径向前进或后退；和控制单元，其与叶片相连，并且响应于压缩机的制冷剂入口和制冷剂出口处的压力在相反的方向上移动从而控制叶片的移动范围。因此，提供了一种结构简单的压缩机并使制冷剂压缩容量易于控制。
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