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公开(公告)号：CN107240588B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201710187317.4
申请日：2017-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/20
Abstract: 一种半导体装置包括包含单元阵列区和外围电路区的基底。半导体装置还包括设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串的单元阵列。位线在第一方向上延伸。半导体装置附加地包括设置在外围电路区中并包括在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个第一单元的第一单元行。第一方向和第二方向平行于基底的上表面。半导体装置还包括多条第一互连线和多条第一电源线，所述多条第一互连线均具有在第一方向上的纵向轴并连接到多个第一单元，所述多条第一电源线在第二方向上延伸并通过第一互连线连接到多个第一单元。
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公开(公告)号：CN112289354A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010704346.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 提供了磁性结存储器设备和用于将数据写入存储器设备的方法。磁性结存储器设备包括：第一存储器组，包括第一磁性结存储器单元；第一本地写入驱动器，与第一存储器组相邻，连接到全局数据线，第一本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第一磁性结存储器单元；第二存储器组，与第一存储器组相邻并且包括第二磁性结存储器单元；第二本地写入驱动器，与第二存储器组相邻，连接到全局数据线，第二本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第二磁性结存储器单元；以及全局写入驱动器，被配置为经由全局数据线分别向第一本地写入驱动器和第二本地写入驱动器提供第一写入数据和第二写入数据。
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公开(公告)号：CN111162048A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910627454.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供一种具有贯穿硅通路的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层设置在衬底的第一表面上；焊盘图案，所述焊盘图案设置在所述第一绝缘中间层的下表面上，所述焊盘图案包括第一铜图案；以及贯穿硅通路，所述贯穿硅通路穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层，并接触所述焊盘图案的所述第一铜图案。所述贯穿硅通路包括穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层的第一部分，以及在所述第一部分下方并延伸到所述焊盘图案中的所述第一铜图案的一部分的第二部分。所述贯穿硅通路具有在所述第一部分与所述第二部分之间的边界处的弯曲部分。
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公开(公告)号：CN110858582A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910777364.3
申请日：2019-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/98
Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括基板、附接到基板的第一单元结构、以及附接到第一单元结构的第二单元结构。第一单元结构和第二单元结构中的每一个包括粘合层、粘合层上的下半导体芯片、在下半导体芯片上并且与下半导体芯片接触的上半导体芯片、以及穿透上半导体芯片并与上半导体芯片和下半导体芯片连接的多个通孔。
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公开(公告)号：CN100474451C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410064144.X
申请日：2004-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/12
Abstract: 提供一种用于闪存设备的编程控制电路和利用该电路对闪存设备编程操作期间控制位线电压电平的控制方法，闪存设备包括以矩阵形式排列的多个存储器单元，其中每个存储器单元连接到字线、位线和电源线并提供编程电流给位线。编程控制电路包括电压电平读出控制部分、开关控制部分、电流宿和开关电路。电压电平读出控制部分响应第一编程控制信号被使能或禁止，并将与正被编程的存储器单元相连的位线的电压与基准电压比较并输出与比较结果对应的电压控制信号。开关控制部分响应电压控制信号和第二编程控制信号而输出开关偏置信号。电流宿响应基准偏置信号将预定电流提供给接地电压。在位线和电流宿之间连接的开关电路响应开关偏置信号被导通或截止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100471127C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510007206.8
申请日：2005-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰成
CPC classification number: G06F21/10 , G06F21/725 , Y10S705/901 , Y10S705/904 , Y10S705/908
Abstract: 一种用于内容版权保护的数字权利管理(DRM)方法和系统保护关于DRM内容的权利信息并且有效管理权利信息。用于内容版权保护的DRM系统包括：时间安全模块，用于当用户任意改变时间时提供时间改变信息；以及时间安全列表管理模块，用于提供关于内容的权利信息和时间改变信息。
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公开(公告)号：CN1155701A
公开(公告)日：1997-07-30
申请号：CN96122715.X
申请日：1996-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰成
IPC: G06F17/00
CPC classification number: G06F7/5332
Abstract: 在一数据处理系统中，将预定位数的第3二进制字表示成第1和第2二进制字，先存贮与第3二进制字相同的第1字和具有该预定位数的零位的第2字，再从第3二进制字的最低有效位开始，检索在其中二进制“1”值的连续幂次位对，然后将每个第1和第2字增加2的检出的连续幂次位对的最低次幂的乘方值，最好，对在第3二进制字中存在的其它二进制“1”值的较高位的连续幂次位对重复进行检索和增值的步骤。
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公开(公告)号：CN111490023B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201910948277.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一结合层；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上，并且具有第二结合层。所述第一结合层包括第一结合焊盘、多个第一内部通路以及连接所述第一结合焊盘和所述多个第一内部通路的第一互连。所述第二结合层包括结合到所述第一结合焊盘的第二结合焊盘。所述第一互连的上表面和所述第一结合焊盘的上表面与所述第一结合层的上表面共面。所述第一互连通过所述多个第一内部通路电连接到多条不同的第一内部线。
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公开(公告)号：CN111490023A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910948277.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L25/18
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一结合层；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上，并且具有第二结合层。所述第一结合层包括第一结合焊盘、多个第一内部通路以及连接所述第一结合焊盘和所述多个第一内部通路的第一互连。所述第二结合层包括结合到所述第一结合焊盘的第二结合焊盘。所述第一互连的上表面和所述第一结合焊盘的上表面与所述第一结合层的上表面共面。所述第一互连通过所述多个第一内部通路电连接到多条不同的第一内部线。
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