三维半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107240588B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN201710187317.4

    申请日:2017-03-27

    Abstract: 一种半导体装置包括包含单元阵列区和外围电路区的基底。半导体装置还包括设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串的单元阵列。位线在第一方向上延伸。半导体装置附加地包括设置在外围电路区中并包括在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个第一单元的第一单元行。第一方向和第二方向平行于基底的上表面。半导体装置还包括多条第一互连线和多条第一电源线,所述多条第一互连线均具有在第一方向上的纵向轴并连接到多个第一单元,所述多条第一电源线在第二方向上延伸并通过第一互连线连接到多个第一单元。

    三维半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107240588A

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201710187317.4

    申请日:2017-03-27

    Abstract: 一种半导体装置包括包含单元阵列区和外围电路区的基底。半导体装置还包括设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串的单元阵列。位线在第一方向上延伸。半导体装置附加地包括设置在外围电路区中并包括在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个第一单元的第一单元行。第一方向和第二方向平行于基底的上表面。半导体装置还包括多条第一互连线和多条第一电源线,所述多条第一互连线均具有在第一方向上的纵向轴并连接到多个第一单元,所述多条第一电源线在第二方向上延伸并通过第一互连线连接到多个第一单元。

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