公开(公告)号：CN110164904B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201811561259.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞宗铉 ,  金恩美 ,  金俊 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  宋相勋

IPC: H10K39/32

Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。

公开(公告)号：CN110164904A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201811561259.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞宗铉 ,  金恩美 ,  金俊 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  宋相勋

IPC: H01L27/30

Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。

公开(公告)号：CN103855181A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625348.5

申请日：2013-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱玄洙 ,  金恩美 ,  申有哲 ,  梁民圭 ,  崔正达

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供电阻式存储器件，该电阻式存储器件包括：栅叠层，包括在竖直方向上层叠在基板上的模制绝缘层和栅极；沟道，在竖直方向上穿透栅叠层以电连接到基板；栅绝缘层，提供在沟道和栅极之间；以及沿着沟道的延伸方向设置的可变电阻层。栅叠层可以包括通过使栅极在水平方向上凹入而形成的凹穴。可变电阻层可以朝向凹穴在水平方向延伸并且与栅极中的至少一个在水平方向上重叠。还提供了相关的方法。