公开(公告)号：CN110164904B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201811561259.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞宗铉 ,  金恩美 ,  金俊 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  宋相勋

IPC: H10K39/32

Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。

公开(公告)号：CN110164904A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201811561259.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞宗铉 ,  金恩美 ,  金俊 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  宋相勋

IPC: H01L27/30

Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。