公开(公告)号：CN103855181A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625348.5

申请日：2013-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱玄洙 ,  金恩美 ,  申有哲 ,  梁民圭 ,  崔正达

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供电阻式存储器件，该电阻式存储器件包括：栅叠层，包括在竖直方向上层叠在基板上的模制绝缘层和栅极；沟道，在竖直方向上穿透栅叠层以电连接到基板；栅绝缘层，提供在沟道和栅极之间；以及沿着沟道的延伸方向设置的可变电阻层。栅叠层可以包括通过使栅极在水平方向上凹入而形成的凹穴。可变电阻层可以朝向凹穴在水平方向延伸并且与栅极中的至少一个在水平方向上重叠。还提供了相关的方法。