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公开(公告)号：CN100541835C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN03149254.1
申请日：2003-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：透明的衬底；半导体材料层，形成在衬底的顶面上，并具有产生光的有源层；以及，荧光层，形成在衬底的背面上，并具有不同的厚度。穿过荧光层传播时波段变化的光与有源层中产生的初始光的比率通过利用改变荧光层的厚度控制，从而从发光二极管中发射所需的均匀的白光。
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公开(公告)号：CN100461562C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510065668.5
申请日：2005-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种在不增加包层的厚度或Al含量的情况下具有充分的光限制效果的半导体激光器件。提供的半导体激光器件包括衬底、有源层、位于有源层和衬底之间的第一包层、位于有源层上的第二包层、以及包括金属波导层并且形成在第二包层上的第一电极层，该金属波导层由比第二包层的折射率小的金属制成，其中形成第一电极层作为波导工作，和第一电极层只包括作为接触层和波导工作的金属波导层。
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公开(公告)号：CN100440551C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410063778.3
申请日：2004-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 提供一种用于发光器件的电极层、以及形成该电极层的方法和含有该电极层的发光器件。电极层包括含有镧系元素和金属元素的氧化物的固溶体。电极层还可以包括从金(Au)、金镧(AuLa)化合物和镧镓(LaGa)化合物构成的组中选择的至少一种。本发明的电极层具有低电阻和高透光率。因此，在发光器件中电极层的使用能降低工作电压并提高LED的透射率。因而，相比于传统LED能显著改善发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN100386892C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200410078693.2
申请日：2004-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种光发射器件组件。该光发射器件组件包括：一包含凸起的基底，每个凸起含有结合表面和包围结合表面的侧表面；一包含焊盘的光发射器件，每个焊盘含有与对应凸起的结合表面相对应的结合表面，并在焊盘边缘形成有外倾型栅栏。此处，每个凸起的结合表面的边缘与对应焊盘的边缘向内隔开预定距离，从而有效避免了凸起与焊盘之间形成的间隔。
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公开(公告)号：CN1603054A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410089930.5
申请日：2004-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/001 , H01L24/10 , H01L24/81 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种焊料凸点及其制造方法，以及使用该焊料凸点制造方法焊接发光装置的方法。具体而言，该焊料凸点由包括第一元素至第三元素的化合物形成，其中第一和第三元素一起形成一种具有多个中间相和固相线的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1501521A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116177.X
申请日：2003-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郭准燮
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种用于制造氮化镓(GaN)半导体发光器件的方法。该发光器件制造方法包括：在发出光的有源层上形成至少一层P型化合物半导体层，并在该P型化合物半导体层上形成一P型电极，在有源层上形成P型化合物半导体层之后，对所得到的结构进行两次退火，在退火后的P型化合物半导体层上形成P型电极。经过两次退火，P型GaN层的电阻变低，即使P型电极由单层金属构成的情况，P型GaN层与P型电极之间的接触电阻也变低，且发光器件的驱动电压也得以降低。当采用本方法时，发光器件的P型电极可以采用各种工艺由各种不同的材料制成。
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公开(公告)号：CN1638161A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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公开(公告)号：CN1638155A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410011594.2
申请日：2004-12-21
Abstract: 本发明提供了一种上发射N基发光装置及其制造方法。该装置包括基底、n型覆盖层、活性层、p型覆盖层和多层欧姆接触层，它们被依次地层叠。多层欧姆接触层包括一层或多层层叠结构，每个层叠结构包括改性金属层和透明导电薄膜层，它们被反复层叠在p型覆盖层上。改性金属层由Ag基材料形成。
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公开(公告)号：CN1577908A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063778.3
申请日：2004-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 提供一种用于发光器件的电极层、以及形成该电极层的方法和含有该电极层的发光器件。电极层包括含有镧系元素和金属元素的氧化物的固溶体。电极层还可以包括从金(Au)、金镧(AuLa)化合物和镧镓(LaGa)化合物构成的组中选择的至少一种。本发明的电极层具有低电阻和高透光率。因此，在发光器件中电极层的使用能降低工作电压并提高LED的透射率。因而，相比于传统LED能显著改善发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN1527451A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310124342.6
申请日：2003-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/0224 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 公开一种半导体激光二极管及包含其的半导体激光二极管组件，可以分散在将芯片倒装焊接至辅助底座时集中在脊波导上的应力。该激光二极管包括第一材料层、有源层和第二材料层，其特征在于该半导体激光二极管包括：脊波导，其被形成为脊形并位于第二材料层的上方以定义出通道，使得第二材料层的顶部材料层被有限地暴露出来，和其中形成了经由通道与第二材料层的顶部材料层接触的第二电极层；和第一突起，其位于脊波导的一侧并且其高度不低于脊波导的高度。
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