-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1612300A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410087995.6
申请日：2004-10-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 本发明披露p型电极和使用它的III－V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于III－V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。
-
公开(公告)号：CN1577908A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063778.3
申请日：2004-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 提供一种用于发光器件的电极层、以及形成该电极层的方法和含有该电极层的发光器件。电极层包括含有镧系元素和金属元素的氧化物的固溶体。电极层还可以包括从金(Au)、金镧(AuLa)化合物和镧镓(LaGa)化合物构成的组中选择的至少一种。本发明的电极层具有低电阻和高透光率。因此，在发光器件中电极层的使用能降低工作电压并提高LED的透射率。因而，相比于传统LED能显著改善发光器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN100440551C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410063778.3
申请日：2004-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 提供一种用于发光器件的电极层、以及形成该电极层的方法和含有该电极层的发光器件。电极层包括含有镧系元素和金属元素的氧化物的固溶体。电极层还可以包括从金(Au)、金镧(AuLa)化合物和镧镓(LaGa)化合物构成的组中选择的至少一种。本发明的电极层具有低电阻和高透光率。因此，在发光器件中电极层的使用能降低工作电压并提高LED的透射率。因而，相比于传统LED能显著改善发光器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN100490078C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200410087995.6
申请日：2004-10-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 本发明披露p型电极和使用它的III-V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于III-V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。
-
公开(公告)号：CN1412900A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02140960.9
申请日：2002-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/2206 , H01S5/2213 , H01S5/2272 , H01S5/32341
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括基材，形成于基材两侧的掩膜，形成于掩膜之间的基材上的发光层，分别形成于掩膜上的阻流层，分别形成于基材底表面和发光层顶表面的第一和第二电极。发光层和阻流层通过单次生长同时形成，并且阻流层将电流和光限制在发光层的横向上。由此，可以简化半导体激光二极管的制造方法，并且可以降低激光振荡的阈值电流。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.033 seconds)
