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公开(公告)号：CN1776513B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200510125432.6
申请日：2005-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板；形成在所述绝缘基板上的栅极线；形成在所述栅极线上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的漏电极和具有源电极的数据线，所述漏电极与所述源电极相邻，其间具有间隙；以及，耦合到所述漏电极上的象素电极，其中所述栅极线、所述数据线和所述漏电极中的至少一个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括导电氧化物，所述第二导电层包括铜(Cu)。
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公开(公告)号：CN100561741C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200610056776.0
申请日：2006-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种TFT基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启TFT的开电流(“Ion”)并增大了用于关闭TFT的闭电流(“Ioff”)。
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公开(公告)号：CN1761049A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510098150.1
申请日：2005-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/3276 , Y10S438/924
Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。
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公开(公告)号：CN1913146B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610112109.X
申请日：2006-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L27/12 , H01L21/768 , H01L21/84 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管(TFT)面板，以及一种制造TFT面板的方法。该薄膜导体包括：粘附层，含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于粘附层上，以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。
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公开(公告)号：CN1897270A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610099012.X
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L27/12 , H01L21/768 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/124 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53238 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种用于制造布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种用于制造TFT基板的方法。布线结构包括形成在基板上并且包括氮化铜的阻隔层，以及形成在阻隔层上并且包括铜或铜合金的铜导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1832182A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610056776.0
申请日：2006-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种TFT基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启TFT的开电流(“Ion”)并增大了用于关闭TFT的闭电流(“Ioff”)。
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公开(公告)号：CN102486917A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110385428.9
申请日：2011-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/136 , G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 本发明公开显示装置及其制造方法。显示装置包括：第一绝缘基板；第二绝缘基板，面对第一绝缘基板；多个像素，设置在第一绝缘基板上，均包括：栅电极，设置于第一绝缘基板上；栅极绝缘层，设于第一绝缘基板上以覆盖栅电极；半导体图案，设置于栅极绝缘层上以与栅电极重叠；源电极，设于半导体图案上；漏电极，设于半导体图案上以与源电极隔开；透明像素电极，包括第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极设于栅极绝缘层上并且部分地与漏电极接触，第二像素电极覆盖第一像素电极；公共电极，设置于第一绝缘基板或第二绝缘基板上以与像素电极一起形成电场，第一像素电极包括至少包含铟的导电金属氧化物层，第二像素电极包括不包含铟的导电金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN101552242B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910137759.3
申请日：2005-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/3276 , Y10S438/924
Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。
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公开(公告)号：CN101552242A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910137759.3
申请日：2005-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/3276 , Y10S438/924
Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。
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公开(公告)号：CN1869797A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610078433.4
申请日：2006-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成第一信号线；在第一信号线上顺序地形成栅极绝缘层和半导体层；在栅极绝缘层和半导体层上形成第二信号线；以及形成连接至第二信号线的像素电极。第一信号线和第二信号线中的至少一条包括第一导电氧化物层、含银(Ag)导电层、以及以比第一导电氧化物层低的温度形成的第二导电氧化物层。
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