公开(公告)号：CN106057899B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201610232111.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伯纳·J·欧博阿多威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  缇塔斯·拉克施特 ,  王维一 ,  马克·S·罗德尔

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。

公开(公告)号：CN106057899A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610232111.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伯纳·J·欧博阿多威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  缇塔斯·拉克施特 ,  王维一 ,  马克·S·罗德尔

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。