公开(公告)号：CN119730428A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410708794.0

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人 ,  罗允何 ,  白承起 ,  薛斗植 ,  安成珉 ,  郑胜基

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/77 ,  H04N25/771

Abstract: 一种图像传感器包括：像素，所述像素各自包括在第一方向上并排布置的两个光电二极管；深沟槽隔离结构；浮置扩散区；以及传输栅极。所述深沟槽隔离结构包括：内部结构，所述内部结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且在所述第一方向上将每个像素的所述两个PD彼此分离；以及外部结构，所述外部结构在所述第一方向和第二方向上延伸并且在所述第一方向和第二方向上将所述像素彼此分离。所述浮置扩散区布置在沿所述第一方向延伸的所述外部结构的中心部分和所述内部结构的边缘之间。所述传输栅极设置为与所述浮置扩散区相邻，使得一个或更多个传输栅极设置在每个光电二极管上。对于每个像素，所述两个光电二极管共享所述浮置扩散区。

公开(公告)号：CN114566512A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111411689.3

申请日：2021-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  白承起 ,  李景镐 ,  金显喆 ,  薛斗植 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：(1)具有在第一方向上彼此相对的第一和第二表面以及多个单位像素的基板，(2)设置在基板中的、多个单位像素中的每一个中并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管，(3)设置在多个单位像素之间的第一器件隔离膜，以及(4)设置在多个单位像素中的至少一个中的像素内部隔离膜。第二器件隔离膜在第一方向上与第一光电二极管和第二光电二极管中的至少一个重叠。一对第三器件隔离膜：(a)在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一器件隔离膜延伸到单位像素中，并且(b)彼此相对。

公开(公告)号：CN114554118A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111401004.7

申请日：2021-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰燮 ,  白承起 ,  李景镐

IPC: H04N5/341 ,  H04N5/369 ,  H04N9/04

Abstract: 本公开提供图像传感器和图像感测系统。一种图像传感器包括：基板；第一元件分隔膜，在基板内部并具有网格形状；多个像素区域，由第一元件分隔膜限定，并至少包括第一像素区域和第二像素区域；以及第二元件分隔膜，在基板内部并将第一像素区域分隔成多个子像素区域，第二元件分隔膜不在第二像素区域中，其中第一像素区域包括第一光电转换元件和在第一光电转换元件上的第一滤色器，第一滤色器是白色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的一种，以及其中第二像素区域包括第二光电转换元件和在第二光电转换元件上的第二滤色器，第二滤色器不同于第一滤色器并且是红色滤色器和白色滤色器中的一种。

公开(公告)号：CN113921554A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110784366.2

申请日：2021-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承起 ,  李景镐 ,  郑泰燮 ,  薛斗植 ,  郑胜基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底；限定单位像素的第一元件隔离区；位于所述单位像素中的第一光电转换区；位于所述单位像素中的第二光电转换区，所述第二光电转换区与所述第一光电转换区间隔开；浮置扩散区，所述浮置扩散区与所述衬底的第一表面相邻；位于所述衬底的所述第一表面上的第一传输门，所述第一传输门位于所述第一光电转换区与所述浮置扩散区之间；以及位于所述衬底的所述第一表面上的第二传输门，所述第二传输门位于所述第二光电转换区与所述浮置扩散区之间。所述第一传输门的至少一部分掩埋在所述衬底中，并且所述第一传输门的底表面与所述第二传输门的底表面处于不同的水平高度处。

公开(公告)号：CN116646362A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310154302.3

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承起 ,  李景镐 ,  郑泰燮 ,  郑胜基 ,  表正炯

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括像素区，基板在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一光电转换区和第二光电转换区，设置在像素区中并在第一方向上彼此相邻；深器件隔离图案，在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上穿透基板，并围绕像素区，深器件隔离图案包括在第一光电转换区和第二光电转换区之间在第二方向上延伸的第一延伸部，第一延伸部在第二方向上彼此间隔开；多个第一传输栅电极，与第一光电转换区垂直地重叠；以及多个第二传输栅电极，与第二光电转换区垂直地重叠。第一光电转换区在所述多个第一传输栅电极下方在第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN115207010A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210371330.6

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿熙 ,  李景镐 ,  白承起 ,  郑胜基 ,  郑泰燮

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；光电二极管层，位于半导体衬底里；传输栅极，位于光电二极管层上，传输栅极位于半导体衬底的第一表面上；第一沟槽，从在传输栅极的一侧的半导体衬底的第一表面凹进；第一杂质注入区，位于第一沟槽的底表面的至少一部分上，第一杂质注入区不在第一沟槽的侧壁上；以及透镜，位于半导体衬底的第二表面上。