-
公开(公告)号:CN119181711A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202410003773.9
申请日:2024-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括:基底,包括被构造为接收光的第一侧和与第一侧相对的第二侧;像素分离图案,被构造为在基底中至少部分地限定单位像素;第一光电转换层和第二光电转换层,在像素分离图案中沿第一方向布置;第一分离图案,被构造为在第一光电转换层与第二光电转换层之间在基底中至少部分地限定第一光电转换层和第二光电转换层;第一网格图案,在像素分离图案上;以及第二网格图案,在第一分离图案上并且具有比第一网格图案低的高度。
-
公开(公告)号:CN119153477A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202410010629.8
申请日:2024-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括:第一基底,具有彼此相对的第一面和第二面,并且包括具有设置在第一面处的多个有源区域的像素阵列区域;浅沟槽隔离结构,设置在第一基底的第一面处,并且隔离所述多个有源区域中的每个;多个浮置扩散区域,设置在第一基底的所述多个有源区域处;以及浮置扩散区域连接件,将所述多个浮置扩散区域彼此连接。浮置扩散区域连接件掩埋在浅沟槽隔离结构中,并且浮置扩散区域连接件的上表面低于浅沟槽隔离结构的上表面。
-
公开(公告)号:CN111508979A
公开(公告)日:2020-08-07
申请号:CN201911098958.8
申请日:2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括:像素隔离结构,设置在半导体衬底中,用于限定第一像素区域;第一光电转换区域和第二光电转换区域,设置在第一像素区域中;以及分离结构,设置在第一像素区域中,在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间。像素隔离结构可以包括:第一像素隔离部分,在第二方向上彼此间隔开并在第一方向上纵向延伸;以及第二像素隔离部分,在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上纵向延伸以连接到第一像素隔离部分。分离结构可以在第一方向和第二方向上与像素隔离结构间隔开,并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上至少部分地与第一光电转换区域和第二光电转换区域处于相同的水平。
-
公开(公告)号:CN103489834B
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201310225225.2
申请日:2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/4207 , G02B6/4214 , G02B6/428 , G02B6/43 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件及包括该半导体封装件的半导体装置。半导体封装件包括:封装基底;多个连接元件,设置在封装基底上;以及半导体芯片,半导体芯片包括至少一个光学输入/输出元件,所述至少一个光学输入/输出元件相对于与封装基底的底表面垂直的方向以光学输入/输出角度将光信号传输至外部/从外部接收光信号,半导体芯片通过所述多个连接元件电连接到封装基底。
-
公开(公告)号:CN115224060A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210364639.2
申请日:2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/232 , H04N5/341 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种图像传感器。该图像传感器包括:像素阵列,其包括第一像素组和第二像素组,第一像素组和第二像素组中的每一个包括以4×4阵列布置的单位像素,每个单位像素包括设置的光电二极管,并且第一像素组和第二像素组在多个方向上交替设置;逻辑电路,其被配置为从单位像素获取像素信号;第一微透镜,其设置在第一像素组中的相应的单位像素上;以及第二微透镜,其设置在第二像素组中包括的单位像素中的四个相应的单位像素上。第一像素组和第二像素组中的每一个包括设置在单位像素之间的器件隔离层以及设置在第一表面上的滤色器,并且第二像素组中的每一个包括被配置为在相邻的光电二极管之间移动电荷的溢出区域。
-
-
公开(公告)号:CN103489834A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310225225.2
申请日:2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/4207 , G02B6/4214 , G02B6/428 , G02B6/43 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件及包括该半导体封装件的半导体装置。半导体封装件包括:封装基底;多个连接元件,设置在封装基底上;以及半导体芯片,半导体芯片包括至少一个光学输入/输出元件,所述至少一个光学输入/输出元件相对于与封装基底的底表面垂直的方向以光学输入/输出角度将光信号传输至外部/从外部接收光信号,半导体芯片通过所述多个连接元件电连接到封装基底。
-
公开(公告)号:CN115209070A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202210348682.X
申请日:2022-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器包括像素阵列和控制逻辑,所述像素阵列包括多个像素组,所述多个像素组中的每一者包括共享单个微透镜的多个单位像素,所述多个像素组中的每一者的所述多个单位像素包括相同颜色的滤色器,所述控制逻辑被配置为:将所述多个像素组中的每一者的所述多个单位像素分组为多个子组,并且针对每个子组驱动所述像素阵列。所述多个子组包括第一子组和第二子组。所述控制逻辑可以被配置为获得对应于所述第一子组的第一图像数据和对应于所述第二子组的第二图像数据,在所述第一方向或所述第二方向上,在所述第一子组与所述第二子组之间设置有至少一个单位像素。
-
公开(公告)号:CN107229097B
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201710351651.9
申请日:2011-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有减小尺寸的光学调制器。该光学调制器,包括光输入/输出单元,其接收没有被调制的入射光学信号,将入射光学信号分束为第一光学信号和第二光学信号,将第一和第二光学信号分别发送到光学波导的第一路径和第二路径。移相器位于第一和第二路径中的至少一个中,并且响应于电信号来调制分别通过第一和第二路径接收的第一和第二光学信号中的至少一个的相位。输出相位调制信号。反射光栅耦合器将分别通过第一和第二路径接收的信号分别沿着第一和第二路径反射回来。
-
公开(公告)号:CN107706200A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201710674751.5
申请日:2017-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N9/04
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H04N5/369 , H04N9/045
Abstract: 提供一种图像传感器。图像传感器包括包含像素区域的半导体基板。图像传感器包括在像素区域中的第一光电转换元件和第二光电转换元件。图像传感器包括在第一光电转换元件与第二光电转换元件之间的隔离区域。隔离区域相对于像素区域偏移中心。
-
-
-
-
-
-
-
-
-