公开(公告)号：CN118522653A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311622220.3

申请日：2023-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林真男 ,  李昊仁 ,  李东均 ,  梁相喆 ,  李炳铉

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  G03F7/20

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：通过执行第一曝光工艺在第一晶片上形成目标图案；测量目标图案的未对准值；基于未对准值计算块未对准值和图案未对准值；基于块未对准值计算块校正值，基于图案未对准值计算图案校正值；以及基于块校正值和图案校正值对第二晶片执行第二曝光工艺。

公开(公告)号：CN116403990A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310002578.X

申请日：2023-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林静范 ,  金昇辰 ,  梁相喆 ,  李全一 ,  李昊仁

IPC: H01L23/528 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括在半导体衬底上的电连接在一起成为电容器的顶部电极的环形电极的垂直堆叠。还提供电容器的底部电极，其在与衬底的表面正交的方向上垂直地延伸并延伸穿过环形电极的垂直堆叠的中心。提供电绝缘的底部支撑图案，其在环形电极中的最下面的环形电极和环形电极中的中间的环形电极之间延伸。