公开(公告)号：CN107154345B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201710123674.4

申请日：2017-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林静范 ,  全钟律 ,  金恩娥 ,  李钟旼

IPC: H01L21/027

Abstract: 本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供，该方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。

公开(公告)号：CN107154345A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710123674.4

申请日：2017-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林静范 ,  全钟律 ,  金恩娥 ,  李钟旼

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76895 ,  H01L28/00 ,  H01L29/66621 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供，该方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。

公开(公告)号：CN116403990A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310002578.X

申请日：2023-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林静范 ,  金昇辰 ,  梁相喆 ,  李全一 ,  李昊仁

IPC: H01L23/528 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括在半导体衬底上的电连接在一起成为电容器的顶部电极的环形电极的垂直堆叠。还提供电容器的底部电极，其在与衬底的表面正交的方向上垂直地延伸并延伸穿过环形电极的垂直堆叠的中心。提供电绝缘的底部支撑图案，其在环形电极中的最下面的环形电极和环形电极中的中间的环形电极之间延伸。