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公开(公告)号：CN101212021A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710154318.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0016 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C2213/11 , G11C2213/55
Abstract: 本发明涉及有机存储装置及其制造方法。该有机存储装置包括第一电极、第二电极以及位于所述两电极之间的有机存储层，其中金属纳米粒子层进一步位于第一电极和有机存储层之间。由于可仅使用正电压运行该有机存储装置，因而可实现由一个二极管和一个电阻器构成的1D1R装置，并由于该1D1R结构而可实现无源基体。从而，该有机存储装置能够具有较高集成度、超高速、较大容量、较低功耗和/或较低价格。
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公开(公告)号：CN101201541A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710154319.X
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0018 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , H01L27/285
Abstract: 本发明披露了一种形成有机层图案的方法、由该方法制备的有机层图案和包括该图案的有机存储装置，所述方法的特征在于通过将包括聚酰亚胺类聚合物、光引发剂和交联剂的涂敷液涂敷在基底上并干燥该基底而形成薄层，并对所述薄层进行曝光和显影，所述聚酰亚胺类聚合物在其聚酰亚胺主链中具有包括杂原子的杂芳族侧基。根据本发明，可在不进行任何昂贵工艺(例如光刻胶)的情况下，形成高分辨显微图案，使得制备过程简化以及成本降低。
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公开(公告)号：CN100367113C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200310120247.9
申请日：2003-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D165/02 , C08G61/10 , C08G61/12 , C08G2261/312 , G03F7/093
Abstract: 本发明涉及一种用于形成一种共轭聚合物图案的组合物，和一种图案形成方法。更具体地，本发明涉及一种用于形成一种共轭聚合物图案的组合物，其包含一种具有一定结构的前体聚合物和一种光学碱产生剂，和一种使用它形成一种图案的方法。按照本发明，不仅能够容易地形成共轭聚合物的图案，而且由此制得的图案能够被理想地用于有机-电器元件例如存储元件、传感器、太阳能电池、蓄电池和有机EL等。而且当其被用于有机EL元件中时，其不仅表现出较高的EL效率而且表现出较低的临界电压。
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公开(公告)号：CN107482002A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710428788.X
申请日：2017-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/645 , H01L23/3128 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L28/40 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83851 , H01L2224/92247 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1076 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30101 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有层叠封装结构的半导体组件及包括该组件的电子设备。一种具有层叠封装(POP)结构的半导体组件包括：第一半导体封装件，其具有第一下基板、面对所述第一下基板的第一上基板、以及安装在所述第一下基板的区域上的第一半导体芯片。所述POP结构还包括：第二半导体封装件，其具有堆叠在所述第一半导体封装件上并且与所述第一半导体封装件间隔开的第二下基板、以及安装在所述第二下基板的区域内的第二半导体芯片。至少一个无源元件布置在所述第一半导体封装件和所述第二半导体封装件中的至少一个内，并且电连接到所述第二半导体芯片。
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公开(公告)号：CN101079319A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710129241.6
申请日：2007-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , B82Y10/00 , G11C11/5614 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/76
Abstract: 本发明提供一种存储器驱动电路，其驱动包括第一电极、第二电极、以及置于第一电极和第二电极之间的存储层的存储器。该存储器驱动电路可包括连接到存储器以驱动存储器的主驱动器，和连接在存储器和主驱动器之间以控制存储器的置位电阻的次驱动器。该存储器驱动电路可自由地调节存储器的置位电阻，以维持存储器的电阻在期望的值。因此，可以实现存储器的操作可靠性的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271962A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710087861.8
申请日：2007-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , H01L51/004 , H01L51/0095 , H01L51/0579
Abstract: 提供有机存储装置和该存储装置的制造方法。该有机存储装置可包括第一电极、第二电极及第一电极和第二电极之间的离子转移层。该有机存储装置可具有较低的操作电压和电流，并可以较低成本制造。
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公开(公告)号：CN101237028A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710004747.4
申请日：2007-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0083 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/77 , H01L27/285 , H01L51/0036 , H01L51/0042 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明公开了有机存储装置及制备该存储装置的方法。该有机存储装置可包括第一电极、第二电极和介于第一和第二电极之间的有机活性层，其中该有机活性层由导电聚合物和金属茂化合物的混合物形成。由于该有机存储装置具有缩短的切换时间、降低的操作电压、减少的制造成本和增加的可靠性，因此该有机存储装置可用作高度集成的大容量存储装置。
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公开(公告)号：CN101182335A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710154316.6
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B32B15/04 , B82Y10/00 , C07F17/02 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0059 , H01L51/0083 , H01L51/009 , H01L51/0591 , H01L2251/308 , Y10T29/49002 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明披露茂金属基树状大分子、使用该茂金属基树状大分子的有机存储装置和制造该有机存储装置的方法。该茂金属基树状大分子由树状大分子和作为氧化还原物质与所述树状大分子相连的茂金属构成。该有机存储装置可具有以下优点：较短的转换时间、降低的工作电压、降低的制造成本和提高的可靠性。基于这些优点，该有机存储装置可用作高度集成、大容量的存储装置。
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公开(公告)号：CN1832218A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510121629.2
申请日：2005-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/20 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L21/02
Abstract: 一种制备含有插入上电极层和下电极层之间的存储层的非易失性有机存储器件的方法，其包括将导电性纳米粒子的离子分散于位于两电极之间的有机材料中，并随后在所述有机材料中，将所述导电性纳米粒子的离子还原为导电性纳米粒子，以形成存储层。此外，提供了由本发明的方法制备的非易失性有机存储器件。所述方法容许使用快速、简单、和环境友好的工艺制备所述存储器件，且不需要包裹工艺。并且所述存储器件具有低操作电压，因此，适用于在必须具备低能耗的各种便携式电子器件中应用。
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公开(公告)号：CN1828962A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007027.9
申请日：2006-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种具有用于控制转换窗的电阻器部件的电阻式存储器件。本发明的电阻式存储器件能控制转换窗从而确保其操作可靠性。另外，因为该存储器件通过向各种电阻式存储器件仅额外提供用于控制转换窗的电阻器部件来实现，所以它能够容易地制造且应用于所有电流和电压驱动型电阻式器件。
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