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公开(公告)号:CN102201416B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201110086496.5
申请日:2011-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/528 , H01L21/8247 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/42348 , H01L21/32137 , H01L27/0688 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L29/792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件,第一图案垂直延伸以横过电极,第二图案水平延伸以横过半导体图案。
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公开(公告)号:CN116916179A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310346236.X
申请日:2023-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/772 , H03M1/12
Abstract: 本申请提供了模数转换电路及其操作方法。模数转换电路包括:第一放大器,其配置为通过将从像素阵列输出的像素信号与斜坡信号进行比较来输出第一输出信号;以及第二放大器,其配置为基于第一输出信号产生第二输出信号。第二放大器包括:第一晶体管,其配置为响应于第一输出信号向第一输出节点提供电源电压;第二晶体管,其通过偏置节点与电容器连接,其中,第二晶体管配置为响应于自动归零信号而导通;电流源,其通过第一输出节点与第一晶体管连接,电流源配置为基于偏置节点的电压电平来产生电源电流;以及第三晶体管,其与电流源连接。
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